概述
向半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時(shí)，電場(chǎng)衰減電流的流動(dòng)會(huì)引起雪崩衰減，此時(shí)元件可吸收的能量稱為雪崩耐量，表示施加電壓時(shí)的抗擊穿性。對(duì)于那些在元件兩端產(chǎn)生較大尖峰電壓的應(yīng)用場(chǎng)合，就要考慮器件的雪崩能量，電壓尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因此對(duì)于反激的應(yīng)用場(chǎng)合，電路關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常的情況下，功率器件都會(huì)降額，從而留有足夠的電壓余量，但是一些電源在輸出短路時(shí)，初級(jí)會(huì)產(chǎn)生較大的電流，加上初級(jí)電感，器件就會(huì)有雪崩損壞的可能，因此在這樣的應(yīng)用條件下，就要考慮器件的雪崩能量。另外，由于一些電機(jī)的負(fù)載是感性負(fù)載，而啟動(dòng)和堵轉(zhuǎn)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生*的沖擊電流，因此也要考慮器件的雪崩能量。
ENX2020雪崩耐量測(cè)試儀是本公司研發(fā)設(shè)計(jì)的測(cè)試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業(yè)測(cè)試設(shè)備，能夠準(zhǔn)確快速的測(cè)試出IGBT、MOSFET、、二極管的雪崩耐量。
西安易恩電氣ENX2020 雪崩耐量測(cè)試系統(tǒng)，該設(shè)備包括：可控直流電源、可選電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護(hù)電壓、IGBT、MOSFET、二極管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二極管功率型器件保護(hù)電路、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測(cè)試夾具、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)適配器、外接測(cè)試端口（根據(jù)客戶需求）等多個(gè)部分。
規(guī)格/環(huán)境要求
電壓頻率：50Hz±1Hz
環(huán)境溫度：15～40℃
工作濕度：溫度不高于+30℃時(shí)，相對(duì)濕度5%-80%。
溫度+30℃到+50℃時(shí)相對(duì)濕度5%-45%，無(wú)冷凝。
大氣壓力： 86Kpa～106Kpa
海拔高度：不超過(guò)3000米。
尺 寸：800x800x1800mm
質(zhì) 量：210KG
工作電壓：AC220V±10%無(wú)嚴(yán)重諧波
系統(tǒng)功耗：320W
通信接口：USB RS232
技術(shù)指標(biāo)
配置 | 測(cè)試范圍 | 測(cè)試參數(shù) | 條件 | 范圍 | |
電壓 1000V | IGBTs 絕緣柵雙極型晶體管 | EAS/單脈沖雪崩能量 | VCE | 20V-4500V | 20-100V±3%±1V 100-1000V±3%±5V 1000-4500V±3%±10V |
電流 200A | MOSFETs MOS場(chǎng)效應(yīng)管 | EAR/重復(fù)脈沖雪崩能量 | Ic | 1mA-200A | 1mA-100mA±3%±0.1mA 100mA-2A±3%±5mA 2A-200A±3%±50mA |
| DIODEs 二極管 | IAS/單脈沖雪崩電流 | Ea | 1J-2000J | 1J-100J±3%±1J 100J-500J±3%±5J 500J-2000J±3%±10J |
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| PAS/單脈沖雪崩功率 | IC檢測(cè) | 50mV/A（取決于傳感器） | |
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| 感性負(fù)載 | 10mH、20mH、40mH、80mH、100mH | |
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| 重復(fù)間隙時(shí)間 | 1-60s可調(diào)（步進(jìn)1s）重復(fù)次數(shù)：1-50次 | |
