美國MTI 300I 無接觸式硅片測量儀 進口硅片測試裝置

產(chǎn)品簡介：

美國MTI的晶圓全檢儀可以測量硅片厚度、總厚度變化TTV、彎曲度、翹曲度、單點和總體平整度，該儀器適用于Si，GaAs，InP，Ge等幾乎所有的材料，強大的軟件功能能夠在幾秒內(nèi)測試硅片的厚度、總厚度變化TTV、彎曲度、翹曲度、單點和總體平整度，所有的設計都符合ASTM(美國材料實驗協(xié)會)和Semi標準，確保與其他工藝儀器的兼容與統(tǒng)一?？捎糜?5 mm, 100 mm, 125 mm, 150 mm, 200 mm多種尺寸。

產(chǎn)品特點：

■ 無接觸測量
■ 適用的晶圓材料包括Si，GaAs，InP，Ge等幾乎所有的材料
■ 厚度和 TTV 測量采用無接觸電容法探頭
■ 高分辨率液晶屏顯示厚度和 TTV 值
■ 性價比高
■ 菜單式快速方便設置
■ 高分辨率液晶 LCD 顯示
■ 提供和計算機連接的輸出端口
■ 提供打印機端口
■ 便攜且易于安裝
■ 為晶圓硅片關鍵生產(chǎn)工藝提供精確的無接觸測量
■ 高質(zhì)量微處理器為精確和重復精度高的測量提供強力保障
■ 高質(zhì)量 聚四氟乙烯晶圓測試架，為晶圓硅片精確定位提供保障


技術(shù)指標：

■ 晶圓硅片測試尺寸： 50 mm - 300mm.
■ 厚度測試范圍： 1000 u m ， 可擴展到 1700 um.
■ 厚度測試精度： +/-0.25um
■ 厚度重復性精度： 0.050umm

■ TTV 測試精度 : +/-0.05um
■ TTV 重復性精度 : 0.050um

■ 彎曲度測試范圍： +/-500um [+/-850um]
■ 彎曲度測試精度： +/-2.0umm
■ 彎曲度重復性精度： 0.750umm

■ 晶圓硅片導電型號： P 或 N 型
■ 材料： Si ， GaAs ， InP ， Ge 等幾乎 所有半導體材料
■ 可用在： 切片后、磨片前、后， 蝕刻，拋光 以及出廠、入廠質(zhì)量檢測等
■ 平面 / 缺口：所有的半導體標準平面或缺口
■ 硅片安裝：裸片，藍寶石 / 石英基底， 黏膠帶
■ 連續(xù) 5 點測量


應用范圍：

> 切片
　　>>線鋸設置
　　　　>>>厚度
　　　　>>>總厚度變化TTV
　　>>監(jiān)測
　　　　>>>導線槽
　　　　>>>刀片更換
>磨片/刻蝕和拋光
　　>> 過程監(jiān)控
　　>> 厚度
　　>>總厚度變化TTV
　　>> 材料去除率
　　>> 彎曲度
　　>> 翹曲度
　　>> 平整度
>　研磨
　　>> 材料去除率
>　終檢測
　　>>　抽檢或全檢
　　>> 終檢厚度

美國MTI 300I 無接觸式硅片測量儀 進口硅片測試裝置