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原子層沉積表面改造提升處理系統(tǒng)設(shè)備

參考價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱武漢賽斯特精密儀器有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號
  • 所  在  地武漢市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時間2022/2/28 15:26:05
  • 訪問次數(shù)300
產(chǎn)品標(biāo)簽:

生物采樣器分析儀器瀝青煙采樣管

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     武漢賽斯特精密儀器有限公司是武漢市專業(yè)研發(fā),以力學(xué)試驗機(jī)儀器為主,同時銷售各種、中低端分析儀器?,F(xiàn)有員工60多人,公司成功開發(fā)了PCI放大采集卡和中文版試驗軟件,并采用全數(shù)字化,操作簡捷,*符合GB、ISO、JIS、ASTM、DIN等標(biāo)準(zhǔn)、國家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的要求,公司亦通過了ISO9001質(zhì)量體系認(rèn)證和國家計量體系認(rèn)證,榮獲了“武漢市第九界消費者滿意單位”的稱號。
 
    產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電子、高校、研究機(jī)構(gòu)、環(huán)保機(jī)構(gòu)、航天、石油化工、紡織制造、第三方檢測機(jī)構(gòu)、研究院、新能源、集成電路、芯片、封裝測試、半導(dǎo)體行業(yè)、顯示器領(lǐng)域、光電材料、鋰電池、機(jī)械生產(chǎn)等領(lǐng)域。并與武漢理工大學(xué)、華中科技大學(xué)等建立了長期合作,每年投入大量研究經(jīng)費,招攬各方技術(shù)人才加盟突破國內(nèi)技術(shù)壁壘,不斷攻克新的技術(shù)難題,另外公司還積極拓展海外業(yè)務(wù),產(chǎn)品遠(yuǎn)銷越南,印度,埃及等國家和地區(qū)。
 
    本著“專業(yè)品質(zhì),專業(yè)服務(wù)”為宗旨,以“科技、品質(zhì)、競爭、創(chuàng)新”為理念,通過不斷汲取新的技術(shù),新的理念,繼續(xù)開發(fā)研制新產(chǎn)品,并為廣大客戶提供優(yōu)質(zhì)的售前,售中,售后服務(wù)。熱烈歡迎廣大新老朋友業(yè)函,來電,蒞臨我公司參觀指導(dǎo)!
檢測儀器全套,測試設(shè)備全套等
加工定制
原子層沉積表面改造提升處理系統(tǒng)設(shè)備 高k柵極氧化物
存儲電容器絕緣層-銅連線間的高縱橫比擴(kuò)散勢壘區(qū)
原子層沉積表面改造提升處理系統(tǒng)設(shè)備 產(chǎn)品信息

原子層沉積表面改造提升處理系統(tǒng)設(shè)備

現(xiàn)場升級到可使用等離子體

從小晶片到200mm大晶片

適用于學(xué)術(shù)、產(chǎn)業(yè)、研發(fā)的熱和/或等離子體化學(xué)產(chǎn)品,可用于:

氧化物: HfO2, Al2O3, TiO2, SiO2, ZnO, Ta2O5

氮化物:TiN, Si3N4

金屬: Ru, Pt

ALD應(yīng)用舉例:

納米電子學(xué)

高k柵極氧化物

存儲電容器絕緣層-銅連線間的高縱橫比擴(kuò)散勢壘區(qū)

有機(jī)發(fā)光二極管和聚合物的無針孔鈍化層

鈍化晶體硅太陽能電池

應(yīng)用于微流體和MEMS的高保形涂層

納米孔結(jié)構(gòu)的涂層

生物微機(jī)電系統(tǒng)

燃料電池

直觀性強(qiáng)的的軟件提高性能

使用與牛津儀器的值得信賴的Plasmalab ®產(chǎn)品家族相同的軟件平臺, OpAL的程序驅(qū)動、多用戶級別、PC2000TM控制的軟件易于操作且可為快速ALD做相應(yīng)修改。

原子層沉積表面改造提升處理系統(tǒng)設(shè)備       

牛津儀器向世界范圍內(nèi)的生產(chǎn)商和研發(fā)者提供沉積工藝解決方案的經(jīng)驗為我們提供了世界上強(qiáng)大沉積工藝庫和沉積工藝能力。以下是牛津儀器等離子技術(shù)可以提供的一些沉積工藝的一個范例。討論您的特定需求,我們專業(yè)的銷售和應(yīng)用工作人員將很高興幫助您選擇合適的沉積工藝和工具,以滿足您的需求。

電介質(zhì)

沉積SiO2—沉積二氧化硅

沉積SiN—沉積氮化硅

二氧化硅(SiO2)的反應(yīng)離子束濺射沉積(RIBD)技術(shù)

金屬氮化物

沉積HfN—沉積氮化鉿(遠(yuǎn)程等離子體*輔助)

金屬氧化物

沉積Al2O3-沉積三氧化二鋁

高品質(zhì)光學(xué)鍍膜:二氧化硅,五氧化二鉭

二氧化鉿反應(yīng)離子束沉積(HfO2 RIBD)

沉積La2O3—沉積氧化鑭

離子束沉積VaO( 5 - x )--沉積氧化釩 Deposition

沉積TiO2—沉積—離子束沉積

ZnO ALD(單熱型)—沉積氧化鋅原子層

沉積ITO—沉積銦錫氧化物—磁控濺射


金屬

濺射沉積Al—濺射沉積鋁

沉積Ru—沉積釕

其他

沉積a-Si—沉積非晶硅(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積和化學(xué)氣相沉積SiGe—沉積鍺硅

沉積PolySi—沉積多晶硅

沉積SiC—沉積碳化硅

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積DLC—沉積類金剛石膜


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