半導(dǎo)體SiC動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
技術(shù)指標(biāo)
1.小電流i-v : 超低漏電流(fA),最 大電壓200V,最大電流1A; 2.高電壓I-V : 最大電壓1000V 3.通用I-V : 適合于大多數(shù)參數(shù)測(cè)試 4.c-v單元: 能夠在1MHz下測(cè)量10pF電 容,準(zhǔn)確度達(dá)1%。
主要功能
自動(dòng)完成多路硅微條探測(cè)器中多條探測(cè)單元的I-V特性、C-V特性、擊穿特性等參數(shù)測(cè)量,無需人工一點(diǎn)一點(diǎn)的測(cè)量。其主要任務(wù)是快速高效地甄別多路硅微條探測(cè)性能,從而優(yōu)化工藝,提高探測(cè)器性能,更好的服務(wù)于核物理實(shí)驗(yàn)。
包括:
半導(dǎo)體二極管:鍺二極管、硅二極管、化合物二極管等;
半導(dǎo)體三極管:鍺三極管、硅三極管、化合物三極管等;
特種器件及傳感器;
敏感器件:壓力敏感器件、磁敏器件(含霍爾器件及霍爾電路)、氣敏器件、濕敏器件、離子敏感器件、聲敏感器件、射線敏感器件、生物敏感器件、靜電感器件等;
裝好的壓電晶體類似半導(dǎo)體器件;
半導(dǎo)體器件專用零件。
半導(dǎo)體SiC動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
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