產(chǎn)品名稱：單晶硅壓力變送器
型號：YD322-Si
單晶硅壓力/差壓變送器用于測量液體、氣體或蒸汽的液位、密度、壓力，然后將其轉(zhuǎn)變成4-20mAHART電流信號輸出，也可與HART375或BST Modem相互通信，通過他們進(jìn)行參數(shù)設(shè)定、過程控制。與傳統(tǒng)壓力變送器的區(qū)別在于它使用的是納米單晶硅作為傳感器材料。
YD系列單晶硅智能變送器是本公司引進(jìn)技術(shù)，進(jìn)口國外單晶硅傳感器，自行研制開發(fā)的帶HART通訊協(xié)議的智能壓力變送器，是新一代高性能智能差壓、壓力變送器。它采用目前國際上*的微機(jī)械單晶硅傳感器技術(shù)，利用單晶硅材料的穩(wěn)定性與重復(fù)性特點(diǎn)，通過微機(jī)械加工工藝與激光焊接封裝工藝，可靠性與穩(wěn)定性*，單向過載于靜壓影響極小。HART數(shù)字通信技術(shù)增添了智能化與數(shù)字通信功能，進(jìn)一步滿足了工業(yè)現(xiàn)場測量隊(duì)儀表高可靠性、高穩(wěn)定性與智能化的要求。
傳感器模塊采用全焊接技術(shù)，內(nèi)部擁有一個整體化的過載膜片，一個壓力傳感器和一個溫度傳感器。溫度傳感器作為溫度補(bǔ)償?shù)膮⒖贾?。壓力傳感器的正壓?cè)與傳感器膜盒的高壓腔相連，傳感器的負(fù)壓側(cè)與傳感器膜盒的低壓腔相連，壓力通過隔離膜片和填充液，傳遞給傳感器內(nèi)的硅芯片，使壓力傳感器的芯片的阻值發(fā)生變化，從而導(dǎo)致檢測系統(tǒng)輸出電壓變化。該輸出電壓與壓力變化成正比，再由適配單元和放大器轉(zhuǎn)化成一標(biāo)準(zhǔn)化信號輸出。
單晶硅壓阻式壓力傳感器工作原理
壓阻式壓力傳感器利用單晶硅的壓阻效應(yīng)而構(gòu)成。采用單晶硅片為彈性元件，在單晶硅膜片上利用集成電路的工藝，在單晶硅的特定方向擴(kuò)散一組等值電阻，并將電阻接成橋路，單晶硅片置于傳感器腔內(nèi)。
單晶硅壓力變送器當(dāng)壓力發(fā)生變化時(shí)，單晶硅產(chǎn)生應(yīng)變，使直接擴(kuò)散在上面的應(yīng)變電阻產(chǎn)生與被測壓力成比例的變化，再由橋式電路獲得相應(yīng)的電壓輸出信號。
主要參數(shù)：
測量范圍: 0-1kPa-10MPa
輸出信號：4-20mA，4-20mA+HART
參考精度：±0.2%URL
穩(wěn)定性：±0.2%URL/ 年
膜片：SS316L，哈氏合金 C
介質(zhì)溫度：-40~120℃
防護(hù)等級：IP67
過程連接：M20*1.5(M)，G1/2(M)，G1/4(M)，1/2-14NPT(M) 等
測量介質(zhì)：液體、氣體、蒸汽
認(rèn)證： CE、隔爆
型號：YD322-Si
單晶硅壓力/差壓變送器用于測量液體、氣體或蒸汽的液位、密度、壓力，然后將其轉(zhuǎn)變成4-20mAHART電流信號輸出，也可與HART375或BST Modem相互通信，通過他們進(jìn)行參數(shù)設(shè)定、過程控制。與傳統(tǒng)壓力變送器的區(qū)別在于它使用的是納米單晶硅作為傳感器材料。
YD系列單晶硅智能變送器是本公司引進(jìn)技術(shù)，進(jìn)口國外單晶硅傳感器，自行研制開發(fā)的帶HART通訊協(xié)議的智能壓力變送器，是新一代高性能智能差壓、壓力變送器。它采用目前國際上*的微機(jī)械單晶硅傳感器技術(shù)，利用單晶硅材料的穩(wěn)定性與重復(fù)性特點(diǎn)，通過微機(jī)械加工工藝與激光焊接封裝工藝，可靠性與穩(wěn)定性*，單向過載于靜壓影響極小。HART數(shù)字通信技術(shù)增添了智能化與數(shù)字通信功能，進(jìn)一步滿足了工業(yè)現(xiàn)場測量隊(duì)儀表高可靠性、高穩(wěn)定性與智能化的要求。
傳感器模塊采用全焊接技術(shù)，內(nèi)部擁有一個整體化的過載膜片，一個壓力傳感器和一個溫度傳感器。溫度傳感器作為溫度補(bǔ)償?shù)膮⒖贾?。壓力傳感器的正壓?cè)與傳感器膜盒的高壓腔相連，傳感器的負(fù)壓側(cè)與傳感器膜盒的低壓腔相連，壓力通過隔離膜片和填充液，傳遞給傳感器內(nèi)的硅芯片，使壓力傳感器的芯片的阻值發(fā)生變化，從而導(dǎo)致檢測系統(tǒng)輸出電壓變化。該輸出電壓與壓力變化成正比，再由適配單元和放大器轉(zhuǎn)化成一標(biāo)準(zhǔn)化信號輸出。
單晶硅壓阻式壓力傳感器工作原理
壓阻式壓力傳感器利用單晶硅的壓阻效應(yīng)而構(gòu)成。采用單晶硅片為彈性元件，在單晶硅膜片上利用集成電路的工藝，在單晶硅的特定方向擴(kuò)散一組等值電阻，并將電阻接成橋路，單晶硅片置于傳感器腔內(nèi)。
單晶硅壓力變送器當(dāng)壓力發(fā)生變化時(shí)，單晶硅產(chǎn)生應(yīng)變，使直接擴(kuò)散在上面的應(yīng)變電阻產(chǎn)生與被測壓力成比例的變化，再由橋式電路獲得相應(yīng)的電壓輸出信號。
主要參數(shù)：
測量范圍: 0-1kPa-10MPa
輸出信號：4-20mA，4-20mA+HART
參考精度：±0.2%URL
穩(wěn)定性：±0.2%URL/ 年
膜片：SS316L，哈氏合金 C
介質(zhì)溫度：-40~120℃
防護(hù)等級：IP67
過程連接：M20*1.5(M)，G1/2(M)，G1/4(M)，1/2-14NPT(M) 等
測量介質(zhì)：液體、氣體、蒸汽
認(rèn)證： CE、隔爆
