可控硅控制器 HHB12-1  京儀儀器

 技術(shù)參數(shù)
1 觸發(fā)輸出(十二路脈沖，每路雙脈沖)
脈沖寬度：＞1.0ms
脈沖電流峰值：＞800mA
橋內(nèi)各相脈沖不均衡度：≤1°
橋間脈沖整定范圍：-10 — +10°
移相范圍：0—170°
輸出隔離電壓：小于AC600V（用于主電路電壓小于600V的裝置）
2 調(diào)節(jié)特性(電流電壓雙調(diào)節(jié))
恒壓、恒流精度：優(yōu)于1%
調(diào)節(jié)時間：0.1S
3 反饋參數(shù)
電壓反饋輸入：直流15V，內(nèi)阻6K。
電流反饋輸入：直流分流器 75mV，內(nèi)阻1KΩ。
電流傳感器 直流5V，內(nèi)阻50K。
注：上述反饋量值是額定輸出時的反饋值。
反饋電路和內(nèi)部電路不隔離，如果需要隔離時或者反饋的極性與本電路不符，那么必須外接隔離模塊。
4 輸入控制電壓：0 — -10V
5 控制輸入：
運行：接點閉合運行，接點開路停止。
連鎖：接點閉合禁止運行。
6 保護特性
   過流保護整定范圍：額定負載電流的70—150%
  過壓保護整定范圍：額定電壓的70—150%
7 工作環(huán)境
   環(huán)境溫度：-25—+40℃
   相對濕度：＜85%
8 電源：三相380V±10%，50Hz。
9 整機功耗：＜10W
10 外型尺寸：264×170×60(詳見附圖)
11 重量：1.5Kg

可控硅控制器 HHB12-1  京儀儀器