SD8583S產(chǎn)品描述:
SD8583S是內(nèi)置高壓MOS管功率開關(guān)的原邊控制開關(guān)電源(PSR),采用PFM調(diào)制技術(shù),提供精確的恒壓/恒流(CV/CC)控制環(huán)路,具有非常高的穩(wěn)定性和平均效率。
采用SD8583S設(shè)計(jì)系統(tǒng),無需光耦,可省去次級(jí)反饋控制、環(huán)路補(bǔ)償,精簡電路、降低系統(tǒng)成本。
SD8583S適用8~10W輸出功率,內(nèi)置線損補(bǔ)償功能和峰值電流補(bǔ)償功能。
SD8583S產(chǎn)品特點(diǎn):
內(nèi)置高壓MOS管功率開關(guān)
原邊控制模式
低啟動(dòng)電流
前沿消隱
逐周期限流
PFM調(diào)制
降峰值模式
過壓保護(hù)
欠壓鎖定
環(huán)路開路保護(hù)
導(dǎo)通時(shí)間保護(hù)
過溫保護(hù)
線損電壓補(bǔ)償
峰值電流補(bǔ)償
典型應(yīng)用圖
典型應(yīng)用圖
SD8583S是離線式開關(guān)電源集成電路,是內(nèi)置線損補(bǔ)償和峰值電流補(bǔ)償?shù)碾娫纯刂破?,通過檢測變壓器院級(jí)線圈的峰值電流和輔助線圈的反饋電壓,控制系統(tǒng)的輸出電壓和電流,達(dá)到輸出恒壓或者恒流的目的。
SD8583S完整的工作周期分為峰值電流檢測和反饋電壓檢測:
當(dāng)MOS管導(dǎo)通,通過采樣電阻檢測院級(jí)線圈的電流,此時(shí)FB端電壓為負(fù),輸出電容對(duì)負(fù)載供電,輸出電壓V0下降,當(dāng)原級(jí)線圈的電流達(dá)到峰值時(shí),MOS管關(guān)斷,F(xiàn)B端電壓檢測開始,存儲(chǔ)的次級(jí)線圈的能量對(duì)輸出電容充電,輸出電壓V0上升,并對(duì)負(fù)載供電,當(dāng)同時(shí)滿足恒壓、恒流環(huán)路控制的開啟條件后,MOS管才開啟,隨之,芯片再次進(jìn)入峰值電流檢測。