自動化工業(yè)級原子力顯微鏡，帶來線上晶片檢查和測量
Park Systems推出業(yè)內噪聲*低的全自動化工業(yè)級原子力顯微鏡——XE-Wafer。該自動化原子力顯微鏡系統(tǒng)旨在為全天候生產線上的亞米級晶體（尺寸200 mm和300 mm）提供線上高分辨率表面粗糙度、溝槽寬度、深度和角度測量。借助True Non-Contact™模式，即便是在結構柔軟的樣品，例如光刻膠溝槽表面，XE-Wafer可以實現(xiàn)無損測量。
現(xiàn)有問題
目前，硬盤和半導體業(yè)的工藝工程師使用成本高昂的聚焦離子束(FIB)/掃瞄式電子顯微鏡(SEM)獲取納米級的表面粗糙度、側壁角度和高度。不幸的是，F(xiàn)IB/SEM會破壞樣品，且速度慢，成本高昂。
解決方案
NX-Wafer原子力顯微鏡實現(xiàn)全自動化的在線200 mm & 300 mm晶體表面粗糙度、深度和角度測量，且速度快、精度高、成本低。
益處
NX-Wafer讓無損線上成像成為可能，并實現(xiàn)多位置的直接可重復高分辨率測量。更高的**度和線寬粗糙度監(jiān)控能力讓工藝工程師得以制造性能更高的儀器，且成本顯著低于FIB/SEM。
應用
串擾消除實現(xiàn)無偽影測量
的解耦XY軸掃描系統(tǒng)提供平滑的掃描平臺
平滑的線性XY軸掃描將偽影從背景曲率中消除
**的特征特亮和行業(yè)*的儀表統(tǒng)計功能
**的工具匹配
CD(臨界尺寸)測量
出眾的**且精密納米測量在提高效率的同時，也為重復性與再現(xiàn)性研究帶來*高的分辨率和*低的儀表西格瑪值。
精密的納米測量
媒介和基體亞納米粗糙度測量
憑借行業(yè)*低的噪聲和**的True Non-ContactTM模式，XE-Wafer在*平滑的媒介和基體樣品上實現(xiàn)***的粗糙度測量。
**的角度測量
Z軸掃描正交性的高精度校正讓角度測量時**度小于0.1度。
溝槽測量
的True Non-Contact模式能夠線上無損測量小至45 nm的腐蝕細節(jié)。
**的硅通孔化學機械研磨輪廓測量
借助低系統(tǒng)噪聲和平滑輪廓掃描功能，Park Systems實現(xiàn)了****的硅通孔化學機械研磨(TSV CMP)輪廓測量。
Park NX-Wafer特點
全自動圖形識別
借助強大的高分辨率數(shù)字CCD鏡頭和圖形識別軟件，Park NX-Wafer讓全自動圖形識別和對準成為可能。
自動測量控制
自動化軟件讓NX-Wafer的操作不費吹灰之力。測量程序針對懸臂調諧、掃描速率、增益和點參數(shù)進行優(yōu)化，為您提供多位置分析。
真正非接觸模式和更長的探針使用壽命
得益于磚利的高強度Z軸掃描系統(tǒng)，XE系列原子力顯微鏡讓真正非接觸模式成為可能。真正非接觸模式借助了原子間的相互吸引力，而非相互排斥力。
因此，在真正非接觸模式下，探針與樣品間的距離可以保持在幾納米，從而蓋上原子力顯微鏡的圖像質量，保證探針**的鋒利度，延長使用壽命。
解耦的柔性XY軸與Z軸掃描器
Z軸掃描器與XY軸掃描器解耦。XY軸掃描器在水平面移動樣品，而Z軸掃描器則在垂直方向移動探針。該設置可實現(xiàn)平滑的XY軸測量，讓平面外移動降到*低。此外，XY軸掃描的正交性和線性也極為出色。
行業(yè)*低的本底噪聲
為了檢測*小的樣品特征和成像*平的表面，Park推出行業(yè)本底噪聲*低（< 0.5A）的顯微鏡。本底噪聲是在“零掃描”情況下確定的。當懸臂與樣品表面接觸時，在如下情況下測量系統(tǒng)噪聲：
·0 nm x 0 nm掃描范圍，停在一個點
·0.5增益，接觸模式
·256 x 256像素
選項
高通量自動化
自動探針更換(ATX)
借助自動探針更換功能，自動測量程序能夠無縫銜接。該系統(tǒng)會根據(jù)參考圖形測量數(shù)據(jù)，自動校正懸臂的位置和優(yōu)化測量設定。**的磁性探針更換功能，成功率高達99%，高于傳統(tǒng)的真空技術。
設備前端模塊(EFEM)實現(xiàn)自動晶體處理
您可以為NX-Wafer加裝自動晶片裝卸器(EFEM或FOUP或其他)。高精度無損晶片裝卸機械臂能夠***保證XE-Wafer用戶享受到快速且穩(wěn)定的自動化晶片測量服務。
長距離移動平臺，助力化學機械研磨輪廓掃描
該平臺帶有專有的用戶界面，可支持自動化學機械研磨輪廓掃描和分析。平面外運動(OPM)在樣品為5 mm時小于2 nm；10 mm時小于5 nm；50 mm時小于100 nm
離子化系統(tǒng)
離子化系統(tǒng)可有效地消除靜電電荷。由于系統(tǒng)隨時可生產和位置正離子和負離子之間的理想平衡，便可以穩(wěn)定地離子化帶電物體，且不會污染周邊區(qū)域。它也可以消除樣品處理過程中意外生成的靜電電荷。
