主要用途
是生產(chǎn)各種金屬膜電阻及氧化膜電阻的設(shè)備,可以完成高、中、低不同阻值的鍍膜工藝。
主要組成
設(shè)備由真空室、真空機組、直流濺射源、射頻濺射源、分流式滾筒、充氣裝置、真空測量及其它輔助裝置等組成。
主要特點
★生產(chǎn)能力大,根據(jù)型號的不同,每爐可鍍制裝載量達分別為10~11Kg、20~25Kg、30~40Kg左右的瓷體。
★磁控濺射源工作特性穩(wěn)定可靠,沉積速率高,陰極體采用可變磁場,大大提高了靶材的利用率,在40%以上。
★根據(jù)不同電阻值和工藝要求配置不同濺射源,工藝適應(yīng)性強。如配置射頻濺射源可鍍制介質(zhì)膜,配備離化源可鍍制氧化膜。
★采用特殊分流式滾筒,瓷體鍍制膜層均勻,阻值集中。
★如配用PLC可編程控制,設(shè)備自動化水平提高,性能更加可靠,操作更為簡便。
★調(diào)節(jié)沉積室的氣氛可控沉積膜的阻值和TCR(溫度系數(shù));鍍制后電阻在合適的“后調(diào)整”熱處理后TCR可接近于零。