煤礦用系列電纜MY MYP試驗(yàn)項(xiàng)目及方法

試驗(yàn)方法 

6.1  導(dǎo)體單絲直徑測(cè)量 

    導(dǎo)體單絲直徑按GB/T 4909.2規(guī)定的方法測(cè)量。 

6.2  絕緣厚度測(cè)量 

    絕緣厚度按GB/T 2951.1中規(guī)定的方法測(cè)量。 

    所測(cè)全部數(shù)值中的zui小值為絕緣zui薄點(diǎn)的厚度。 

6.3  護(hù)套厚度測(cè)量 

    護(hù)套厚度按GB/T 2951.1中規(guī)定的方法測(cè)量。 

    所測(cè)全部數(shù)值中的zui小值為護(hù)套zui薄點(diǎn)的厚度。 

6.4  外徑測(cè)量 

    電纜的外徑按GB/T 2951.1中規(guī)定的方法測(cè)量。 

6.5 標(biāo)志耐擦性試驗(yàn) 

煤礦用系列電纜MY MYP試驗(yàn)項(xiàng)目及方法

    用浸過(guò)水的1團(tuán)脫脂棉或1塊棉布輕輕擦拭表面標(biāo)志。共擦10次。 

6.6 過(guò)渡電阻測(cè)試 

6.6.1 步驟 MT 818.1-2009 8 

6.6.1.1 非金屬屏蔽型電纜動(dòng)力線芯屏蔽層過(guò)渡電阻測(cè)量，應(yīng)將待測(cè)電纜試樣動(dòng)力線芯導(dǎo)體和接地

線芯導(dǎo)體分別接到直流電源的正極和負(fù)極。用直徑不大于1.5mm的金屬針垂直刺入電纜，使之與動(dòng)

力線芯導(dǎo)體接觸。 

6.6.1.2 金屬屏蔽型電纜動(dòng)力線芯屏蔽層過(guò)渡電阻測(cè)量，應(yīng)將金屬屏蔽層頭部掀開，露出一部分非金屬屏蔽層，將動(dòng)力線芯導(dǎo)體和金屬屏蔽層分別接到直流電源的正極和負(fù)極，用直徑不大于1.5mm

的金屬針由裸露的非金屬屏蔽層垂直刺入電纜，使之與動(dòng)力線芯導(dǎo)體接觸(金屬針不能與金屬屏蔽

層接觸)。 

6.6.1.3 MCPJB型和MCPJR型電纜過(guò)渡電阻測(cè)量,應(yīng)將動(dòng)力線芯導(dǎo)體與監(jiān)視線芯導(dǎo)體分別接到電源的

正極和負(fù)極, 用直徑不大于1.5mm的金屬針垂直刺入電纜，使之與動(dòng)力線芯導(dǎo)體接觸。 

6.6.1.4 MYPTJ型電纜監(jiān)視層過(guò)渡電阻測(cè)量,應(yīng)將監(jiān)視線芯導(dǎo)體與直徑不大于1.5mm的金屬針?lè)謩e接

到電源的正極和負(fù)極。并將金屬針垂直刺入監(jiān)視層,刺入位置應(yīng)盡量位于兩監(jiān)視線芯導(dǎo)體的中間(不

應(yīng)與監(jiān)視線芯導(dǎo)體相接觸)。動(dòng)力線芯絕緣屏蔽層過(guò)渡電阻測(cè)量步驟同6.6.1.2。  

6.6.1.5 測(cè)量電源正負(fù)極之間的電壓，測(cè)量回路的電流應(yīng)不大于5mA。 

6.6.2  結(jié)果計(jì)算 過(guò)渡電阻值按(2)式計(jì)算： 

                             R＝U／I

········································································

(2) 式中： R—過(guò)渡電阻，單位為歐姆（Ω）； 

    U--動(dòng)力線芯導(dǎo)體或監(jiān)視線芯導(dǎo)體與接地線芯導(dǎo)體之間的電壓降，單位為伏特（V）； 

    I--測(cè)量回路電流，單位為安培（A）。 

   每根動(dòng)力線芯或監(jiān)視線芯各刺試3點(diǎn)。 

6.7 絕緣吸水試驗(yàn) 取硫化后停放時(shí)間不小于48 h的絕緣線芯試樣4.5 m，剝?nèi)ソ^緣層表面的所有包層和涂覆層，放入溫度為70±5℃的空氣烘箱中預(yù)處理24 h后，冷卻至50℃。然后浸入溫度為50℃±1℃的水箱中，浸水長(zhǎng)度3.0 m ，兩端分別露出水面0.75 m ，水面高度保持不變。試樣連續(xù)浸水時(shí)間為

14 d 。

采用下列之一的測(cè)試電壓，測(cè)量連續(xù)浸水1 d，7 d，14 d的電容值分別以C1，C7，C表示；a)

頻率（40～62）Hz，平均場(chǎng)強(qiáng)800 V/mm（0.66/1.14 kV及以下）或3200 V/mm（0.66/1.14kV以）

b)頻率（800～1000）Hz低電壓。（1～14）d的電容增值用ΔC1～14（%）表示：ΔC1～14 ＝（C14

－C1）/C1 ×*·································

(3)（7～14）d的電容增值用ΔC7～14（%）表示：ΔC7～14 ＝（C4－C7）7 ×

*·································

(4)