【廣州★南創(chuàng)】以“科技為本，技術(shù)為先”現(xiàn)貨特惠供應(yīng)novo TR-25位移傳感器。novo TR-25位移傳感器本季度特惠供應(yīng)，咨詢。
產(chǎn)品品牌：novo
產(chǎn)品名稱：novo TR-25位移傳感器
德國NOVO電子尺：TR-0050；TR-0075；TS-0150，TRS-0075；T-0025；LWG0450(LWG450)；T-0150；TS-0025；TS-0050；TS-0075；TS-0100；LWG0600(LWG600)；LWG0750(LWG750)；LWG0050(LWG50)；LWG0250(LWG250)；LWG0300(LWG300)；LWG0100(LWG100)；LWG0500(LWG500)；LWG0550(LWG550)；TR-0100；TRS-0025；TRS-0050；T-0050；T-0075；LWG0175(LWG175)；LWG0360(LWG360)；LS10025；LS10050；LS10075；LS10100；LS10150；LS10200；TR-0010；LWG0075(LWG75)；T-0100；LWG-225；
德國德國NOVO電子尺熱門型號：
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加州大學(xué)的研究人員們深入探索在奈米磁鐵(nanomagnet)中奈米材料合成的新發(fā)展。根據(jù)加州大學(xué)柏克萊分校機(jī)械工程系教授Liwei Lin表示，研究人員們發(fā)現(xiàn)，采用外覆絕緣層的磁性奈米粒子可使高頻的芯片電感器尺寸縮小，同時提升性能，同時，藉由其高截止頻率提供良好的導(dǎo)磁率，從而降低在高頻作業(yè)時的渦流損耗。
工程師們經(jīng)常面對的問題是，在試圖縮減芯片電感器尺寸的同時，還得保持其佳電感與性能。Liwei Lin表示這些困難主要來自于“基本科學(xué)以及工程實(shí)踐約束”所造成的限制。
芯片電感器技術(shù)并未發(fā)生像電晶體技術(shù)一樣的進(jìn)展電晶體技術(shù)在過去40年來一直遵循摩爾定律。電感器在電路上算是一款被動元件被歸類于“超越摩爾定律”的領(lǐng)域，因此整合的是不會因摩爾定律而微縮的RF與MEMS等非數(shù)位化功能。
芯片電感器架構(gòu)需要較大的面積，因?yàn)樵谄浣饘僮呔€之間需要一定的長度、匝數(shù)、厚度與空間，以實(shí)現(xiàn)適當(dāng)?shù)碾姼信c性能。然而，對于要求較大的面積則可能會因?yàn)樵谛D(zhuǎn)線圈和半導(dǎo)體基板之間產(chǎn)生寄生效應(yīng)而造成電感損失。
由于設(shè)計(jì)人員采用SPICE而非TCAD模擬應(yīng)用電路，因此通常在技術(shù)開發(fā)后期(即基于硅的SPICE模型終可用時)才進(jìn)行應(yīng)用仿真并對其進(jìn)行校準(zhǔn)。當(dāng)技術(shù)發(fā)生任何變化或調(diào)整，都要求相應(yīng)的分立SPICE模型在可用于應(yīng)用仿真之前進(jìn)行新一輪的TCAD仿真、器件制造以及測量。
現(xiàn)在，新開發(fā)的基于物理、可擴(kuò)展SPICE模型集成了工藝技術(shù)，位于設(shè)計(jì)流程的前沿。憑借SPICE模型，設(shè)計(jì)人員可先模擬產(chǎn)品性能再進(jìn)行器件制造，這樣就能縮短設(shè)計(jì)和制造周期，進(jìn)而降低成本并加快產(chǎn)品上市時間。
Fairchild已推出可擴(kuò)展的物理SPICE級模型，適用于下列高壓分立技術(shù)：
· IGBT(FS溝道650 V)
· 超結(jié)FET(600 V和800 V SuperFET® MOSFET)
· 高壓二極管(STEALTH™ I、II型二極管和HyperFast系列二極管)
Fairchild高壓SPICE模型是一種適用于整個技術(shù)平臺的物理模型，能夠追蹤布局和工藝技術(shù)變更，并非根據(jù)每個器件尺寸以及工藝變化而開發(fā)的獨(dú)立分立器件模型庫。
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