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深圳市邁瑞施電子技術(shù)有限公司


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產(chǎn)品型號(hào)SKKT273/16E

品       牌

廠商性質(zhì)代理商

所  在  地深圳市

聯(lián)系方式：曾先生查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間：2016-07-02 14:57:39瀏覽次數(shù)：239次

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經(jīng)營(yíng)模式：代理商

商鋪產(chǎn)品：987條

所在地區(qū)：廣東深圳市

聯(lián)系人：曾先生 （銷售技術(shù)經(jīng)理）

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

SKKT273/16E品牌：西門康又名賽米控Semikron；
產(chǎn)地：*；
PrimePACK™2 模塊采用第三代溝槽柵/場(chǎng)終止IGBT3和增大的第三代發(fā)射極控制二極管

詳細(xì)介紹

SKKT273/16E品牌：西門康又名賽米控Semikron；

SKKT273/16E產(chǎn)地：*；

PrimePACK™2 模塊采用第三代溝槽柵/場(chǎng)終止IGBT3和增大的第三代發(fā)射極控制二極管

PrimePACK™2 module with Trench/Fieldstop IGBT3, enlarged Emitter Controlled 4 diode

初步數(shù)據(jù) / Preliminary Data

深圳市邁瑞施電子技術(shù)有限公司：一家專業(yè)做進(jìn)口 * 現(xiàn)貨 批發(fā)零售的企業(yè)，

更詳細(xì)的內(nèi)容 敬請(qǐng)登錄公司了解。www.mrs2003。。ｃｏｍ

VCES = 1800V

IC nom = 273A / ICRM = 273A

典型應(yīng)用 Typical Applications

• 斬波應(yīng)用 • Chopper Applications

電氣特性 Electrical Features

• 提高工作結(jié)溫 Tvj op • Extended Operation Temperature Tvj op

• 高直流電壓穩(wěn)定性 • High DC Stability

• 高短路能力，自限制短路電流 • High Short Circuit Capability, Self Limiting Short

• VCEsat 帶正溫度系數(shù) Circuit Current

• VCEsat  with positive Temperature Coefficient

• 低  VCEsat • Low VCEsat

機(jī)械特性 Mechanical Features

• 4 kV 交流   1分鐘 絕緣 • 4 kV AC 1min Insulation

• 封裝的 CTI > 400 • Package with CTI > 400

• 高爬電距離和電氣間隙 • High Creepage and Clearance Distances

• 高功率循環(huán)和溫度循環(huán)能力 • High Power and Thermal Cycling Capability

• 高功率密度 • High Power Density

• 低熱阻襯底 • Substrate for Low Thermal Resistance

SKM600GA12V SKM75GB063D SKM400GB12V SKM145GAL176D SKM400GAR12T4

SKM600GA176D SKM75GB123D SKM400GB176D SKM145GAR123D SKM400GB066D

SKM600GAL126D SKM75GB12T4 SKM400GB176DL3 SKM145GB066D SKM400GB123D

SKM600GB066D SKM75GB12V SKM400GM12T4 SKM145GB123D SKM400GB125D

SKM600GB126D SKM75GB173D SKM40GAH123DTS95036 SKM145GB176D SKM400GB126D

SKM75GAL063D SKM75GB176D SKM40GD123D SKM150GAL123D SKM400GB12E4

 

 IGBT, 斬波器 / IGBT-Chopper

zui大額定值 / Maximum Rated Values

集電極－發(fā)射極電壓

Tvj = 25°C

VCES

 

1200

 

V

Collector-emitter voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

連續(xù)集電極直流電流

TC = 100°C, Tvj max = 175°C

IC nom

 

323

 

A

Continuous DC collector current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

集電極重復(fù)峰值電流

tP = 1 ms

ICRM

 

1800

 

A

Repetitive peak collector current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Total power dissipation

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

柵極－發(fā)射極峰值電壓

 

VGES

 

+/-20

 

V

Gate-emitter peak voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

集電極－發(fā)射極飽和電壓

IC = 900 A, VGE = 15 V

 

Tvj = 25°C

 

 

1,70

2,05

V

Collector-emitter saturation voltage

IC = 900 A, VGE = 15 V

 

Tvj = 125°C

VCE sat

 

2,00

 

V

 

IC = 900 A, VGE = 15 V

 

Tvj = 150°C

 

 

2,10

 

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

柵極閾值電壓

IC = 33,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C

 

VGEth

5,0

5,8

6,5

V

Gate threshold voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

柵極電荷

VGE = -15 V ... +15 V

 

 

QG

 

6,40

 

µC

Gate charge

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

內(nèi)部柵極電阻

Tvj = 25°C

 

 

RGint

 

1,2

 

W

Internal gate resistor

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

輸入電容

f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V

 

Cies

 

54,0

 

nF

Input capacitance

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

反向傳輸電容

f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V

 

Cres

 

2,80

 

nF

Reverse transfer capacitance

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

開通延遲時(shí)間(電感負(fù)載)

IC = 900 A, VCE = 600 V

 

Tvj = 25°C

td on

 

0,20

 

µs

Turn-on delay time, inductive load

VGE = ±15 V

 

Tvj = 125°C

0,22

µs

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RGon = 1,6 W

 

Tvj = 150°C

 

 

0,22

 

µs

 

 

 

 

 

 

 

 

 

上升時(shí)間(電感負(fù)載)

IC = 900 A, VCE = 600 V

 

Tvj = 25°C

tr

 

0,14

 

µs

Rise time, inductive load

VGE = ±15 V

 

Tvj = 125°C

 

0,15

 

µs

 

 

 

RGon = 1,6 W

 

Tvj = 150°C

 

 

0,15

 

µs

 

 

 

 

 

 

 

 

 

關(guān)斷延遲時(shí)間(電感負(fù)載)

IC = 900 A, VCE = 600 V

 

Tvj = 25°C

td off

 

0,70

 

µs

Turn-off delay time, inductive load

VGE = ±15 V

 

Tvj = 125°C

0,80

µs

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RGoff = 1,6 W

 

Tvj = 150°C

 

 

0,85

 

µs

 

 

 

 

 

 

 

 

 

下降時(shí)間(電感負(fù)載)

IC = 900 A, VCE = 600 V

 

Tvj = 25°C

tf

 

0,20

 

µs

Fall time, inductive load

VGE = ±15 V

 

Tvj = 125°C

 

0,40

 

µs

 

 

 

RGoff = 1,6 W

 

Tvj = 150°C

 

 

0,45

 

µs

 

 

 

 

 

 

 

 

開通損耗能量 (每脈沖)

IC = 900 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH

Tvj = 25°C

 

 

50,0

 

mJ

Turn-on energy loss per pulse

VGE = ±15 V, di/dt = 4800 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C

Eon

70,0

mJ

 

RGon = 1,6 W

 

Tvj = 150°C

 

 

80,0

 

mJ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

SC data

VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt

tP £ 10 µs, Tvj = 150°C

 

 

3600

 

A

 

 

 

結(jié)－外殼熱阻

每個(gè) IGBT / per IGBT

 

 

RthJC

 

 

29,5

K/kW

Thermal resistance, junction to case

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

外殼－散熱器熱阻

每個(gè) IGBT / per IGBT

 

 

RthCH

 

16,0

 

K/kW

Thermal resistance, case to heatsink

lPaste = 1 W/(m·K)   /    lgrease = 1 W/(m·K)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

在開關(guān)狀態(tài)下溫度

 

 

 

Tvj op

-40

 

150

°C

Diode-斬波器 / Diode-Chopper

 zui大額定值 / Maximum Rated Values

反向重復(fù)峰值電壓

Tvj = 25°C

VRRM

 

1200

 

V

特征值 / Characteristic Values

 

 

 

min.

typ.

max.

 

正向電壓

IF = 900 A, VGE = 0 V

Tvj = 25°C

 

 

1,65

2,15

V

Forward voltage

IF = 900 A, VGE = 0 V

Tvj = 125°C

VF

 

1,55

 

V

 

IF = 900 A, VGE = 0 V

Tvj = 150°C

 

 

1,50

 

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

恢復(fù)電荷

IF = 900 A, - diF/dt = 4800 A/µs (Tvj=150°C)

Tvj = 25°C

 

 

110

 

µC

Recovered charge

VR = 600 V

Tvj = 125°C

Qr

 

200

 

µC

 

 

Tvj = 150°C

 

 

225

 

µC

 

 

 

 

 

 

 

 

反向恢復(fù)損耗（每脈沖）

IF = 900 A, - diF/dt = 4800 A/µs (Tvj=150°C)

Tvj = 25°C

 

 

50,0

 

mJ

Reverse recovery energy

VR = 600 V

Tvj = 125°C

Erec

 

90,0

 

mJ

 

 

Tvj = 150°C

 

 

105

 

mJ

 

 

 

 

 

 

 

 

結(jié)－外殼熱阻

每個(gè)二極管 / per diode

 

RthJC

 

 

37,0

K/kW

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

反向二極管 / Diode, Reverse

zui大額定值 / Maximum Rated Values

反向重復(fù)峰值電壓

Tvj = 25°C

VRRM

 

1200

 

V

Repetitive peak reverse voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

賽米控可控硅、晶閘管、IGBT模塊，西門康可控硅、晶閘管、IGBT模塊。

中文資料，技術(shù)參數(shù)， PDF datasheet,圖片。

關(guān)鍵詞：散熱器
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