深圳市邁瑞施電子技術(shù)有限公司

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FZ1200R16KF1

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產(chǎn)品型號(hào)FZ1200R16KF1

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深圳市邁瑞施電子技術(shù)有限公司

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

FZ1200R16KF1品牌：英飛凌（Infineon）、優(yōu)派克（eupec）；
產(chǎn)地：源產(chǎn)于*；
技術(shù)信息 / Technical Information
IGBT-模塊
IGBT-modules
PrimePACK™2 模塊采用第三代溝槽柵/場(chǎng)終止IGBT3和增大的第三代發(fā)射極控制二極管

詳細(xì)介紹

FZ1200R16KF1品牌：英飛凌(Infineon)、優(yōu)派克（eupec）；

FZ1200R16KF1產(chǎn)地：源產(chǎn)于*；

技術(shù)信息 / Technical Information

IGBT-模塊

IGBT-modules

PrimePACK™2 模塊采用第三代溝槽柵/場(chǎng)終止IGBT3和增大的第三代發(fā)射極控制二極管

PrimePACK™2 module with Trench/Fieldstop IGBT3, enlarged Emitter Controlled 4 diode

初步數(shù)據(jù) / Preliminary Data

深圳市邁瑞施電子技術(shù)有限公司：一家專業(yè)做進(jìn)口 * 現(xiàn)貨批發(fā)零售的企業(yè)，

更詳細(xì)的內(nèi)容敬請(qǐng)登錄公司了解。www.mrs2003。。ｃｏｍ

VCES = 1200V

IC nom = 800A / ICRM = 800A

典型應(yīng)用 Typical Applications

• 斬波應(yīng)用 • Chopper Applications

電氣特性 Electrical Features

• 提高工作結(jié)溫 Tvj op • Extended Operation Temperature Tvj op

• 高直流電壓穩(wěn)定性 • High DC Stability

• 高短路能力，自限制短路電流 • High Short Circuit Capability, Self Limiting Short

• VCEsat 帶正溫度系數(shù) Circuit Current

• VCEsat with positive Temperature Coefficient

• 低 VCEsat • Low VCEsat

機(jī)械特性 Mechanical Features

• 4 kV 交流 1分鐘絕緣 • 4 kV AC 1min Insulation

• 封裝的 CTI > 400 • Package with CTI > 400

• 高爬電距離和電氣間隙 • High Creepage and Clearance Distances

• 高功率循環(huán)和溫度循環(huán)能力 • High Power and Thermal Cycling Capability

• 高功率密度 • High Power Density

IGBT, 斬波器 / IGBT-Chopper

zui大額定值 / Maximum Rated Values



Total power dissipation
Total power dissipation

柵極－發(fā)射極峰值電壓	VGES	+/-20	V
Gate-emitter peak voltage	VGES	+/-20	V
Gate-emitter peak voltage

特征值 / Characteristic Values

min.

typ.

max.

集電極－發(fā)射極飽和電壓

IC = 900 A, VGE = 15 V

Tvj = 25°C

1,70

2,05

Collector-emitter saturation voltage

IC = 900 A, VGE = 15 V

Tvj = 125°C

VCE sat

2,00

IC = 900 A, VGE = 15 V

Tvj = 150°C

2,10

Gate threshold voltage

輸入電容

f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V

Cies

54,0

反向傳輸電容

f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V

Cres

2,80

Reverse transfer capacitance

柵極-發(fā)射極漏電流

VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C

IGES

400

Gate-emitter leakage current

Rise time, inductive load

VGE = ±15 V

Tvj = 125°C

0,15

µs

Turn-off delay time, inductive load

VGE = ±15 V

Tvj = 125°C

0,80

µs

FZ1800R16KF4

RGoff = 1,6 W

Tvj = 150°C

0,85

µs

下降時(shí)間(電感負(fù)載)

IC = 900 A, VCE = 600 V

Tvj = 25°C

0,20

µs

Fall time, inductive load

VGE = ±15 V

Tvj = 125°C

0,40

µs

關(guān)斷損耗能量 (每脈沖）

IC = 900 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH

Tvj = 25°C

150

Turn-off energy loss per pulse

VGE = ±15 V, du/dt = 2700 V/µs (Tvj = 150°C)Tvj = 125°C

Eoff

200

RGoff = 1,6 W

Tvj = 150°C

205

短路數(shù)據(jù)

VGE £ 15 V, VCC = 800 V

ISC

結(jié)－外殼熱阻

每個(gè) IGBT / per IGBT

RthJC

29,5

K/kW

Thermal resistance, junction to case

在開關(guān)狀態(tài)下溫度

Tvj op

-40

150

°C

Diode-斬波器 / Diode-Chopper

zui大額定值 / Maximum Rated Values

Repetitive peak reverse voltage


Continuous DC forward current


正向重復(fù)峰值電流	tP = 1 ms		IFRM		1800				A
Repetitive peak forward current


特征值 / Characteristic Values				min.		typ.	max.
正向電壓	IF = 900 A, VGE = 0 V	Tvj = 25°C				1,65	2,15	V
Forward voltage	IF = 900 A, VGE = 0 V	Tvj = 125°C	VF			1,55		V
	IF = 900 A, VGE = 0 V	Tvj = 150°C				1,50		V


Recovered charge	VR = 600 V	Tvj = 125°C	Qr			200		µC
		Tvj = 150°C				225		µC

Reverse recovery energy	VR = 600 V	Tvj = 125°C	Erec			90,0		mJ
		Tvj = 150°C				105		mJ

結(jié)－外殼熱阻	每個(gè)二極管 / per diode		RthJC				37,0	K/kW
Thermal resistance, junction to case


外殼－散熱器熱阻	每個(gè)二極管 / per diode		RthCH			20,0		K/kW

反向二極管 / Diode, Reverse

zui大額定值 / Maximum Rated Values

反向重復(fù)峰值電壓	Tvj = 25°C	VRRM	1200		V
Repetitive peak reverse voltage	Tvj = 25°C	VRRM	1200		V
Repetitive peak reverse voltage

連續(xù)正向直流電流		IF	120		A
Continuous DC forward current		IF	120		A
Continuous DC forward current

Repetitive peak forward current
Repetitive peak forward current

I2t-值	VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C	I²t	0,17	kA²s
I²t - value	VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C	I²t	0,17	kA²s
I²t - value

特征值 / Characteristic Values				min.	typ.	max.
正向電壓	IF = 120 A, VGE = 0 V	Tvj = 25°C	VF		1,65	2,15	V
Forward voltage	IF = 120 A, VGE = 0 V	Tvj = 125°C	VF		1,65		V
Forward voltage	IF = 120 A, VGE = 0 V	Tvj = 125°C			1,65		V
結(jié)－外殼熱阻	每個(gè)二極管 / per diode		RthJC			340	K/kW
Thermal resistance, junction to case	每個(gè)二極管 / per diode		RthJC			340	K/kW
Thermal resistance, junction to case

BSM200GB120DLC FD1000R17IE4D_B2 FF150R12ME3G FF450R12ME4_B11

BSM200GB120DN2 FD1000R33HE3-K FF150R12MS4G FF450R17IE4

BSM200GB170DLC FD1200R17HP4_B2 FF150R12RT4 FF450R17ME3

BSM200GB60DLC FD1200R17HP4-K_B2 FF150R12YT3 FF450R17ME4

BSM200GD60DLC FD1200R17KE3-K FF150R17KE4 FF450R17ME4_B11

BSM300G120DLC FD1200R17KE3-K_B2 FF150R17ME3G FF600R06ME3

BSM300G120DN2 FD1400R12IP4D FF200R06YE3 FF600R12IE4

BSM300GA120DLC FD150R12RT4 FF200R12KE3 FF600R12IP4

BSM300GA120DN11S FD1600R17HP4_B2 FF200R12KE4 FF600R12IS4F

BSM300GA120DN2 FD1600R17KF6C_B2 FF200R12KS4 FF600R12KE3

BSM300GA120DN2S FD200R12KE3 FF200R12KT3 FF600R12KF4

BSM300GA160N11S FD200R12PT4_B6 FF200R12KT3_E FF600R12KL4C

BSM300GA170DLC FD200R65KF2-K FF200R12KT4 FF600R12ME4

BSM300GA170DN2 FD250R65KE3-K FF200R12MT4 FF600R12ME4_B11

BSM300GA170DN2S FD300R06KE3 FF200R17KE3 FF600R16KF4

BSM300GAL120DLC FD300R07PE4_B6 FF200R17KE4 FF600R17KE3

BSM300GAR120DLC FD300R12KE3 FF200R33KF2C FF600R17KE3_B2

BSM300GB120DLC FD300R12KS4 FF225R12ME3 FF600R17KF6C_B2

BSM300GB60DLC FD300R12KS4_B5 FF225R12ME4 FF600R17ME4

BSM400GA120DLC FD400R12KE3 FF225R12MS4 FF650R17IE4

BSM400GA120DN2 FD400R12KE3_B5 FF225R17ME3 FF650R17IE4D_B2

BSM400GA120DN2S FD400R33KF2C FF225R17ME4 FF800R12KE3

BSM400GA170DLC FD400R33KF2C-K FF225R17ME4_B11 FF800R12KF4

BSM50GAL120DN2 FF300R12KE3 FF300R06KE3 FF800R12KL4C

BSM600GA120DLC FF300R12KE4 FF300R06KE3_B2 FF800R17KE3

BSM75GB120DN11 FF800R17KP4_B2 FF300R07KE4 FF800R17KE3_B2

BYM300B170DN2 FF900R12IE4 FF300R07ME4_B11 FF800R17KF6C_B2

BYM600A170DN2

英飛凌(Infineon)晶閘管、可控硅、IGBT模塊，優(yōu)派克（eupec）可控硅、可控硅、IGBT模塊。

關(guān)鍵詞：散熱器

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