當(dāng)前位置：深圳市邁瑞施電子技術(shù)有限公司>>IGBT>>FZ1200R12KF5

FZ1200R12KF5

返回列表頁

參考價

面議

具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號FZ1200R12KF5

品牌

廠商性質(zhì)代理商

所在地深圳市

在線詢價收藏產(chǎn)品查看聯(lián)系電話

聯(lián)系方式：曾先生查看聯(lián)系方式

更新時間：2016-07-12 10:29:36瀏覽次數(shù)：258次

聯(lián)系我時，請告知來自環(huán)保在線

產(chǎn)品分類 品牌分類

  IGBT

全部產(chǎn)品列表

暫無信息

深圳市邁瑞施電子技術(shù)有限公司

經(jīng)營模式：代理商

商鋪產(chǎn)品：987條

所在地區(qū)：廣東深圳市

聯(lián)系人：曾先生（銷售技術(shù)經(jīng)理）

詢價 給他留言

產(chǎn)品簡介

FZ1200R16KF1品牌：英飛凌（Infineon）、優(yōu)派克（eupec）；
FZ1200R16KF1產(chǎn)地：源產(chǎn)于*；
技術(shù)信息 / Technical Information
IGBT-模塊FZ1200R16KF1
IGBT-modules
PrimePACK™2 模塊采用第三代溝槽柵/場終止IGBT3和增大的第三代發(fā)射極控制二極管

詳細介紹

FZ1200R16KF1品牌：英飛凌(Infineon)、優(yōu)派克（eupec）；

FZ1200R16KF1產(chǎn)地：源產(chǎn)于*；

技術(shù)信息 / Technical Information

IGBT-模塊FZ1200R16KF1

IGBT-modules

PrimePACK™2 模塊采用第三代溝槽柵/場終止IGBT3和增大的第三代發(fā)射極控制二極管

PrimePACK™2 module with Trench/Fieldstop IGBT3, enlarged Emitter Controlled 4 diode

初步數(shù)據(jù) / Preliminary Data

深圳市邁瑞施電子技術(shù)有限公司：一家專業(yè)做進口 * 現(xiàn)貨批發(fā)零售的企業(yè)，

更詳細的內(nèi)容敬請登錄公司了解。www.mrs2003。。ｃｏｍ

典型應(yīng)用 Typical Applications

• 斬波應(yīng)用 • Chopper Applications

電氣特性 Electrical Features

• 提高工作結(jié)溫 Tvj op • Extended Operation Temperature Tvj op

• 高直流電壓穩(wěn)定性 • High DC Stability

• 高短路能力，自限制短路電流 • High Short Circuit Capability, Self Limiting Short

• VCEsat 帶正溫度系數(shù) Circuit Current

• VCEsat with positive Temperature Coefficient

機械特性 Mechanical Features

• 4 kV 交流 1分鐘絕緣 • 4 kV AC 1min Insulation

• 封裝的 CTI > 400 • Package with CTI > 400

• 高爬電距離和電氣間隙 • High Creepage and Clearance Distances

• 高功率循環(huán)和溫度循環(huán)能力 • High Power and Thermal Cycling Capability

FZ1200R16KF1 IGBT, 斬波器 / IGBT-Chopper

zui大額定值 / Maximum Rated Values



Total power dissipation
Total power dissipation

柵極－發(fā)射極峰值電壓	VGES	+/-20	V
Gate-emitter peak voltage	VGES	+/-20	V
Gate-emitter peak voltage

特征值 / Characteristic Values

min.

typ.

max.

集電極－發(fā)射極飽和電壓

IC = 900 A, VGE = 15 V

Tvj = 25°C

1,70

2,05

Collector-emitter saturation voltage

IC = 900 A, VGE = 15 V

Tvj = 125°C

VCE sat

2,00

IC = 900 A, VGE = 15 V

Tvj = 150°C

2,10

Gate threshold voltage

輸入電容

f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V

Cies

54,0

反向傳輸電容

f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V

Cres

2,80

Reverse transfer capacitance

柵極-發(fā)射極漏電流

VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C

IGES

400

Gate-emitter leakage current

Rise time, inductive load

VGE = ±15 V

Tvj = 125°C

0,15

µs

Turn-off delay time, inductive load

VGE = ±15 V

Tvj = 125°C

0,80

µs

下降時間(電感負(fù)載)

IC = 900 A, VCE = 600 V

Tvj = 25°C

0,20

µs

Fall time, inductive load

VGE = ±15 V

Tvj = 125°C

0,40

µs

關(guān)斷損耗能量 (每脈沖）

IC = 900 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH

Tvj = 25°C

150

短路數(shù)據(jù)

VGE £ 15 V, VCC = 800 V

ISC

結(jié)－外殼熱阻

每個 IGBT / per IGBT

RthJC

29,5

K/kW

Thermal resistance, junction to case

在開關(guān)狀態(tài)下溫度

FZ1200R12KF5

Tvj op

-40

150

°C

Diode-斬波器 / Diode-Chopper

FZ1200R16KF1 zui大額定值 / Maximum Rated Values

Repetitive peak reverse voltage


Continuous DC forward current	FZ1200R12KF5


正向重復(fù)峰值電流	tP = 1 ms		IFRM		1800				A
Repetitive peak forward current


特征值 / Characteristic Values				min.		typ.	max.
正向電壓	IF = 900 A, VGE = 0 V	Tvj = 25°C				1,65	2,15	V
Forward voltage	IF = 900 A, VGE = 0 V	Tvj = 125°C	VF			1,55		V
	IF = 900 A, VGE = 0 V	Tvj = 150°C				1,50		V


結(jié)－外殼熱阻	每個二極管 / per diode		RthJC				37,0	K/kW
Thermal resistance, junction to case


外殼－散熱器熱阻	每個二極管 / per diode		RthCH			20,0		K/kW

反向二極管 / Diode, Reverse

zui大額定值 / Maximum Rated Values

反向重復(fù)峰值電壓	Tvj = 25°C	VRRM	1200		V
Repetitive peak reverse voltage	Tvj = 25°C	VRRM	1200		V
Repetitive peak reverse voltage

連續(xù)正向直流電流		IF	120		A
Continuous DC forward current		IF	120		A
Continuous DC forward current

Repetitive peak forward current
Repetitive peak forward current

I2t-值	VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C	I²t	0,17	kA²s
I²t - value	VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C	I²t	0,17	kA²s
I²t - value

特征值 / Characteristic Values				min.	typ.	max.
正向電壓	IF = 120 A, VGE = 0 V	Tvj = 25°C	VF		1,65	2,15	V
Forward voltage	IF = 120 A, VGE = 0 V	Tvj = 125°C	VF		1,65		V
Forward voltage	IF = 120 A, VGE = 0 V	Tvj = 125°C			1,65		V
結(jié)－外殼熱阻	每個二極管 / per diode		RthJC			340	K/kW
Thermal resistance, junction to case	每個二極管 / per diode		RthJC			340	K/kW
Thermal resistance, junction to case