MOSFET動(dòng)靜態(tài)參數(shù)測(cè)試臺(tái)

　測(cè)試能力：

　　1.開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試

　　大功率sic靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀測(cè)試參數(shù)：td(on),tr,td(off),tf，Eon，Eoff

　　2.反向恢復(fù)特性測(cè)試

　　測(cè)試參數(shù): trr, Qc, Irm, Erec

　　3.柵極電荷測(cè)試

　　測(cè)試參數(shù)：Qgon，Qgd，Qgs

　　4.短路電流測(cè)試

　　測(cè)試參數(shù)：Peak ID , Delta Vds

大功率sic靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

　　主極電壓 2KV(加選件可擴(kuò)展至3.5KV)

　　主極電流 50A(加選件可擴(kuò)展至2500A)

　　控制極電壓 20V(加選件可擴(kuò)展至80V)

　　控制極電流 10A

　　電壓分辨率 1mV

　　電流分辨率 100pA(加選件可擴(kuò)展至1pA)

　　測(cè)試速度 5ms/參數(shù)

測(cè)試夾具、適配器

　　可根據(jù)用戶要求定制各類(lèi)測(cè)試夾具、適配器等選件，與半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)配合使用，可完成各類(lèi)器件的測(cè)試、篩選，可進(jìn)行各類(lèi)器件在高低溫箱、老練臺(tái)上的全參數(shù)測(cè)試。