便攜式igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀返回列表頁(yè)

舉報(bào) 評(píng)價(jià)

參考價(jià): ￥ 200

訂貨量: ≥1 臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)HUSTEC-1600A-MT

品牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所在地深圳市

在線詢價(jià) 加入對(duì)比查看聯(lián)系電話

更新時(shí)間：2022-02-24 13:33:10瀏覽次數(shù)：1456次

聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來自環(huán)保在線

產(chǎn)品分類品牌分類

IGBT測(cè)試儀: IGBT模塊測(cè)試儀 IGBT模塊測(cè)試系統(tǒng) 便攜式IGBT測(cè)試儀大功率IGBT測(cè)試儀檢修用IGBT測(cè)試儀在線式IGBT測(cè)試儀 IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀 IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

全部產(chǎn)品列表

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

測(cè)量范圍	igbt mos bjt	測(cè)量精度	Vcesat Vgeth lces lges
外形尺寸	500（寬）x 450（深）x 250（高）cm；mm	用途	檢修地鐵汽車
重量	30kg

便攜式igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
自動(dòng)化：?jiǎn)螜C(jī)測(cè)試時(shí)只需手動(dòng)放置DUT，也可連接機(jī)械選件實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化測(cè)試線?
智能化，通過主控計(jì)算機(jī)進(jìn)行操控及數(shù)據(jù)編輯，測(cè)試結(jié)果自動(dòng)保存及上傳局域網(wǎng)?
?軌道級(jí)IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀具有安全性，防爆，防觸電，防燙傷，短路保護(hù)等多重保護(hù)措施，確保操作人員、設(shè)備、數(shù)據(jù)及樣品安全。

詳情介紹

軌道級(jí)IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀廠家直供。
產(chǎn)品系列
晶體管圖示儀
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試篩選系統(tǒng)
靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）
動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）
環(huán)境老化測(cè)試（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）
熱特性測(cè)試（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）
可測(cè)試 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件

二、便攜式igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀產(chǎn)品特點(diǎn)

獨(dú)立的動(dòng)態(tài)或靜態(tài)測(cè)試，或動(dòng)靜態(tài)一體測(cè)試
系統(tǒng)整體寄生電感低于30nH
電流輸出能力10A到2000A(短路的5500A)
電壓輸出能力從50V到1500V
雪崩和短路測(cè)試可用。
IGBT測(cè)試*符合IEC 60747-9-2.0版
二極管測(cè)試*兼容測(cè)試IEC 60747-2-2.0版
可定制的測(cè)試選項(xiàng)
*符合安全標(biāo)準(zhǔn)
提供自動(dòng)測(cè)試平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)和自動(dòng)化機(jī)械的無縫連接
無縫數(shù)據(jù)傳輸和數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)分析
*新的圖形用戶界面

三、便攜式igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀測(cè)試能力

柵極漏電流 IGES ：Ige 0 - 10μA,Vge 0-100V
柵極閥值電壓 VGE(th) ：Vge 0 - 20V ,ice 0-2A
導(dǎo)通特性 VCEsat：Vce 0 - 10V，Ice 0-8000A
開通電阻 Rdson:0.1-500ohm
正向特性 VF:Vf 0 - 10V，If 0.1-2000A
C-E擊穿電壓 VCES: Ice 0.1uA-100mA ,Vce 0-10000V
集電極關(guān)斷電流 ICES: Vce0 - 10000V Ice0.01 - 100mA

測(cè)試選件：

夾斷電壓 VP

適用于模塊類型：

HPD，HP1，HP2，雙面散熱等封裝形式的汽車級(jí)模塊

晶體管圖示儀
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試篩選系統(tǒng)
靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）
動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）
環(huán)境老化測(cè)試（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）
熱特性測(cè)試（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）
可測(cè)試 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件

參數(shù)/條件
	參數(shù)		ENJ 35200 IGBT	ENJ 30200 IGBT
	參數(shù)		靜態(tài)參數(shù)自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)	靜態(tài)參數(shù)手動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)
	條件		靜態(tài)參數(shù)自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)	靜態(tài)參數(shù)手動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)
柵極-發(fā)射極漏電流IGES
IGES: 0.1-10uA±3±0.1uA
集電極電壓VCE: 0V
柵極電壓 VGE: 20V ±3±0.2V
集電極-發(fā)射極電壓BVCES
集電極電壓VCES: 100-3500V±5±10V（選配）
集電極電流ICES: 0.1-30mA±5±0.01mA		100-3500V±5±10V		100-3000V±5±10V
柵極電壓 VGE: 0V
集電極發(fā)射極飽和電壓VCESAT
VCESAT:0.1-10V
柵極電壓 V G E : ±15V±2±0.2V
集電極電流ICE:10-200A±5（選配）			10-200A±5	10-200A±5
集電極-發(fā)射極截止電流ICES
集電極電流ICES: 0.1-30mA±5±0.01mA			100-3500V±5	100-3000V±5
集電極電壓VCE: 100-3500V±5（選配）
柵極電壓V G E : 0V
柵極-發(fā)射極閥值電壓測(cè)試VGETH
VGETH: 0.1-10V±3±0.1V
VGE=VCE
集電極電流ICE: 30mA±3
二極管壓降測(cè)試VF
VF: 0.1-5V±3±0.01V
柵極電壓VGE: 0V
電	流 I F :10-200A±5（選配）		10-200A±5	10-200A±5
導(dǎo)通電流 IC:10-200A±5
柵極電壓VGE:±15V±0.2V