便攜式igbt測(cè)試設(shè)備-華科智源

1. 物理規(guī)格

設(shè)備尺寸：500（寬）x 450（深）x 250（高）cm；

質(zhì)量：30kg

1. 環(huán)境要求

海拔高度：海拔不超過(guò) 1000m； 儲(chǔ)存環(huán)境：-20℃～50℃；

工作環(huán)境：15℃～40℃。

相RH (無(wú)凝露，濕球溫度計(jì)溫度: 40℃以下)；

大氣壓力：86Kpa～ 106對(duì)濕度：20%RH ~ 75%Kpa。

防護(hù)：無(wú)較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害；

1. 水電氣

用電要求：AC220V，±10%； 電網(wǎng)頻率：50Hz±1Hz
 

四、便攜式igbt測(cè)試設(shè)備-華科智源基礎(chǔ)能力

1. 測(cè)試電壓范圍：0-±5000V
2. 測(cè)試電流范圍：0-±1600A
3. 測(cè)試柵極電壓范圍：0-±100V
4. 電壓分辨率：0.1mV
5. 電流分辨率：0.1nA

五、測(cè)試種類及參數(shù)

1. 、Diode（支持 Si ,SiC , GaN材料器件）

1. 靜態(tài)參數(shù)：BVR/擊穿電壓、IR/漏電流、VF/正向壓降；

1. 、MOSFET（支持 Si ,SiC , GaN材料器件）

1. 靜態(tài)參數(shù)：BVDSS/漏源極擊穿電壓，VGS(th)/柵極開啟電壓，IDSS漏源極漏電流、VF/二極管正向壓降；Rdson 內(nèi)阻

1. 、IGBT單管及模塊（支持 Si ,SiC , GaN材料器件）

靜態(tài)參數(shù)：BVCES/集射極擊穿電壓，VGE(th)/柵極開啟電壓 、ICES/集射極漏電流、VF/二極管正向壓降；VCESAT/飽和壓降，IGESR,IGESF 柵極漏電流