單晶爐不銹鋼濾芯

單晶爐是一種在惰性氣體（氮?dú)?、氦氣為主）環(huán)境中,用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生長無錯(cuò)位單晶的設(shè)備。

單晶爐的型號與命名：

單晶爐型號有兩種命名方式，一種為投料量，一種為爐室直徑。比如85爐，是指主爐筒的直徑大小，120、150等型號是由裝料量來決定的

單晶爐不銹鋼濾芯技術(shù)要求：

1.單晶爐裝料量（單臺機(jī)產(chǎn)能多少） 2. 能拉多長、幾寸的硅棒 3. 拉制晶棒的成品率是多少4拉出硅棒品質(zhì)（少子壽命、電阻率、碳氧含量、位錯(cuò)密度） 5設(shè)備制造工藝控制保證 6自動化控制程度 7設(shè)備主要關(guān)鍵部件的配置等 。

1、穩(wěn)定的機(jī)架結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，增強(qiáng)了設(shè)備在晶體生長過程中的抗振動能力。

2、優(yōu)化的液壓提升機(jī)構(gòu)確保副爐室提升和復(fù)位時(shí)的運(yùn)動平穩(wěn)性。

3、與主機(jī)分離的分水器設(shè)計(jì)，在減少冷卻水振動對晶體生長的影響的同時(shí)優(yōu)化了水路布局。

4、晶體和坩堝的提升采用雙電機(jī)結(jié)構(gòu)，保證穩(wěn)定的低生長速度以及坩堝和籽晶的快速定位。

5、采用無振動的高性能馬達(dá)和低噪聲的減速器驅(qū)動晶體和坩堝上升，可提供穩(wěn)定的低生長速度。

6、設(shè)備的真空條件和在真空下的可控惰性氣體氣流使得熱區(qū)清洗**化。氧化硅可以在不污染晶體和晶體驅(qū)動裝置的條件下排除。

7、帶隔離閥的副室可以在熱區(qū)保持工作溫度的情況下，取出長成的晶體或者更換籽晶。

8、對惰性氣體流量和爐室壓力高精度的控制能力，為生長高品質(zhì)單晶創(chuàng)造了條件。

9、爐蓋和爐腔通過兩個(gè)提升裝置提升，很方便的轉(zhuǎn)向一邊快捷地清洗。

10、熔化溫度通過對加熱器溫度的電控來維持和調(diào)節(jié)，加熱電源采用直流供電提高了控制精度。高品質(zhì)的加熱器溫度測量傳感器實(shí)現(xiàn)了精確的溫度控制。

12、整個(gè)晶體生長過程由一個(gè)高可靠的可編程計(jì)算機(jī)控制器（PCC）控制，包括抽真空、熔化、引晶縮頸、放肩、等經(jīng)生長和尾錐生長，晶體生長全過程可實(shí)現(xiàn)全自動（CCD）控制：。

13、帶有數(shù)據(jù)和報(bào)警過程控制的可視化軟件，存儲在計(jì)算機(jī)的硬盤中。

單晶爐在使用時(shí)，爐體處于高溫工作狀態(tài)，并要求各運(yùn)動部件的運(yùn)動穩(wěn)定可靠，精度高（尤其是坩堝驅(qū)動裝置和籽晶旋轉(zhuǎn)及提升機(jī)構(gòu)），工作時(shí)間長。因此，在使用過程中，要注意設(shè)備的維護(hù)與保養(yǎng)。

坩堝驅(qū)動裝置

坩堝驅(qū)動裝置要求的運(yùn)動精度比較高，是設(shè)備的核心運(yùn)動部件，應(yīng)重點(diǎn)維護(hù)。坩堝軸是石墨坩堝的支撐軸，應(yīng)隨時(shí)檢查其冷卻水的情況，以免燒損。坩堝驅(qū)動采用滾珠絲杠和直線導(dǎo)軌結(jié)構(gòu)，是坩堝驅(qū)動的關(guān)鍵部件，需保持清潔，嚴(yán)禁灰塵、雜物附著，并定期涂抹潤滑脂。

籽晶旋轉(zhuǎn)及提升機(jī)構(gòu)的維修

籽晶旋轉(zhuǎn)及提升機(jī)構(gòu)也是單晶爐的關(guān)鍵部件，該部件運(yùn)行的好壞直接影響單晶的生長。因此，也須重點(diǎn)維護(hù)。  卷輪箱是籽晶提升的核心，卷輪箱內(nèi)的零件一般情況下不得隨意拆除，必須拆除時(shí)，重新安裝時(shí)必須保證軟軸對中。軟軸鋼絲繩在使用中不準(zhǔn)有死彎現(xiàn)象，并在每次開爐時(shí)檢查鋼絲繩是否燒損，如有燒損應(yīng)及時(shí)修整或更換新的鋼絲繩。

其余部件的維修

每次開單晶爐前應(yīng)檢查水路系統(tǒng)是否暢通，水溫檢測傳感器安裝是否正常。發(fā)現(xiàn)有結(jié)垢時(shí)應(yīng)及清理。在拉晶過程中，若發(fā)現(xiàn)水壓報(bào)警或漏水時(shí)要及時(shí)采取措施。  真空管道的過濾網(wǎng)每爐要清理一次，抽氣管道每20～30爐清理一次。