詳細介紹
寬波段近紅外模塊(1000nm~1900nm)
它被連接到光電二極管探測器陣列上。光通過300/330μm的二氧化硅和入口狹縫耦合進入光譜儀。光由光譜儀腔內的全反射引導。光譜儀本身是一個微模壓的整體器件,包括入口狹縫、聚焦凸面平場和相機反射鏡。這些元素被安排在羅蘭的設計中。
利用LIGA技術復制光學表面質量的微結構。整體羅蘭設計保證了*的機械,熱和光學穩(wěn)定性。由于光學元件的幾何位置固定,波長定標幾乎沒有熱漂移。波長到像素的校準功能在產(chǎn)品的使用壽命內是穩(wěn)定的,不需要任何重新校準。低重量和整體設計使它不敏感的機械和振動應力。制造工藝和所選材料的使用確保了良好的抗熱應力和苛刻的環(huán)境條件。
aMSM NIR 256微光譜儀采用Hamamatsu G13913-1349 InGaAs光電二極管陣列??梢蕴峁﹥蓚€不同的光譜范圍選擇,1.7版本覆蓋900nm~1700nm,1.9版本覆蓋1000nm~1900nm。在此基礎上增加了檢測范圍寬度,可以檢測的物質也隨之增加。
INSION設計的新一代NIR系統(tǒng)。由于改進的單片設計,出色的光學特性以及小尺寸,在各種新的和常見的應用中開辟了可能性。它們非常適合用于分析和診斷手持設備,由于具有良好的儀器間協(xié)議,因此具有很高的成本效益。典型的應用范圍從儀器分析,生物和臨床系統(tǒng)的物質鑒定和農(nóng)業(yè)和營養(yǎng)產(chǎn)品的分析。
主要參數(shù):
aMSM NIR 1.7 NT 256 | aMSM NIR 1.9NT 256 | |
光譜范圍 | 900nm ~ 1700nm | 1000nm ~ 1900nm |
光譜分辨率(FWHM) | 10nm(4.1nm像素間隔) | 10nm(4.1nm像素間隔) |
光譜準確度 | 2nm | 2nm |
光譜重復性 | ≤0.1nm | ≤0.1nm |
靈敏度 | >150E12 cts*nm/Ws @ 1500nm | >150E12 cts*nm/Ws @ 1500nm |
溫度漂移 | <0.05nm/K | <0.05nm/K |
探測器 | InGaAs陣列探測器, 256像元 | InGaAs陣列探測器, 256像元 |