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原子層沉積表面改造提升處理系統(tǒng)設(shè)備

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更新時(shí)間：2022-02-28 15:26:05瀏覽次數(shù)：303次

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武漢賽斯特精密儀器有限公司

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原子層沉積表面改造提升處理系統(tǒng)設(shè)備高k柵極氧化物
存儲(chǔ)電容器絕緣層-銅連線(xiàn)間的高縱橫比擴(kuò)散勢(shì)壘區(qū)

詳細(xì)介紹

原子層沉積表面改造提升處理系統(tǒng)設(shè)備

現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)到可使用等離子體

從小晶片到200mm大晶片

適用于學(xué)術(shù)、產(chǎn)業(yè)、研發(fā)的熱和/或等離子體化學(xué)產(chǎn)品，可用于：

氧化物： HfO2, Al2O3, TiO2, SiO2, ZnO, Ta2O5

氮化物：TiN, Si3N4

金屬： Ru, Pt

ALD應(yīng)用舉例：

納米電子學(xué)

高k柵極氧化物

存儲(chǔ)電容器絕緣層-銅連線(xiàn)間的高縱橫比擴(kuò)散勢(shì)壘區(qū)

有機(jī)發(fā)光二極管和聚合物的無(wú)針孔鈍化層

鈍化晶體硅太陽(yáng)能電池

應(yīng)用于微流體和MEMS的高保形涂層

納米孔結(jié)構(gòu)的涂層

生物微機(jī)電系統(tǒng)

燃料電池

直觀(guān)性強(qiáng)的的軟件提高性能

使用與牛津儀器的值得信賴(lài)的Plasmalab ®產(chǎn)品家族相同的軟件平臺(tái)， OpAL的程序驅(qū)動(dòng)、多用戶(hù)級(jí)別、PC2000TM控制的軟件易于操作且可為快速ALD做相應(yīng)修改。

原子層沉積表面改造提升處理系統(tǒng)設(shè)備

牛津儀器向世界范圍內(nèi)的生產(chǎn)商和研發(fā)者提供沉積工藝解決方案的經(jīng)驗(yàn)為我們提供了世界上強(qiáng)大沉積工藝庫(kù)和沉積工藝能力。以下是牛津儀器等離子技術(shù)可以提供的一些沉積工藝的一個(gè)范例。討論您的特定需求，我們專(zhuān)業(yè)的銷(xiāo)售和應(yīng)用工作人員將很高興幫助您選擇合適的沉積工藝和工具，以滿(mǎn)足您的需求。

電介質(zhì)

沉積SiO2—沉積二氧化硅

沉積SiN—沉積氮化硅

二氧化硅(SiO2)的反應(yīng)離子束濺射沉積(RIBD)技術(shù)

金屬氮化物

沉積HfN—沉積氮化鉿（遠(yuǎn)程等離子體*輔助）

金屬氧化物

沉積Al2O3-沉積三氧化二鋁

高品質(zhì)光學(xué)鍍膜：二氧化硅，五氧化二鉭

二氧化鉿反應(yīng)離子束沉積（HfO2 RIBD）

沉積La2O3—沉積氧化鑭

離子束沉積VaO( 5 - x )--沉積氧化釩 Deposition