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NP4N10MR-G

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產(chǎn)品型號NP4n10MR-G

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所在地深圳市

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更新時間：2022-07-07 09:36:27瀏覽次數(shù)：156次

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深圳市東誠興電子有限公司

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所在地區(qū)：廣東深圳市

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產(chǎn)品簡介

測量范圍	1	測量精度	1
分辨率	1	加工定制	否
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NP4N10MR-G
LDO，DC-DC，電源IC，MOS管，場效應管，充電IC，無刷電機、PD芯片，電子元器件

詳細介紹

NP4N10MR-G

100V N溝道增強型MOSFET描述NP4N10MR采用*的溝槽技術以提供出色的RDS(ON)、低柵極電荷和高超低導通電阻的密度單元設計。這器件適合用作負載開關或用于PWM應用程序。一般特征vds = 100v伏，ID =4A RDS(開)(典型值。)= 110mω@ VGS = 10VRDS(開)(典型值。)= 150mω@ VGS = 4.5V?高功率和電流處理能力收購?無鉛產(chǎn)品?表面貼裝封裝應用? PWM應用?負荷開關包裹? SOT-23-3L

示意圖

LDO，DC-DC，電源IC，MOS管，場效應管，充電IC，無刷電機、PD芯片，電子元器件

深圳市東誠興電子有限公司成立于2009年，是一家半導體元器件專業(yè)代理商。代理及銷售品牌：南麟、微盟、立锜等,產(chǎn)品有電源管理IC(LDO、DC-DC、充電IC、復位/檢測IC、驅(qū)動IC、音頻功放、霍爾開關、馬達驅(qū)動等)和MOS（低壓MOS、中壓MOS、大電流MOS）,產(chǎn)品廣泛應用于智能安防、智能家居、攝像頭模組、網(wǎng)絡通信、電動工具等各種消費類產(chǎn)品。

關鍵詞：負荷開關芯片電子元器件