當前位置：昊諾實驗室設(shè)備有限公司>>實驗室儀器設(shè)備>>閃爍晶體及基片>>硅酸鉍（ Bi12SiO20）

硅酸鉍（ Bi12SiO20）

返回列表頁

參考價

面議

具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號

品牌

廠商性質(zhì)其他

所在地

在線詢價收藏產(chǎn)品查看聯(lián)系電話

聯(lián)系方式：陳經(jīng)理查看聯(lián)系方式

更新時間：2022-08-25 15:21:07瀏覽次數(shù)：200次

聯(lián)系我時，請告知來自環(huán)保在線

產(chǎn)品分類 品牌分類

  實驗室儀器設(shè)備

高分子塑料

GaN薄膜單晶基片

閃爍晶體及基片

合金靶材

金屬靶材

全部產(chǎn)品列表

暫無信息

昊諾實驗室設(shè)備有限公司

經(jīng)營模式：其他

商鋪產(chǎn)品：33條

所在地區(qū)：

聯(lián)系人：陳經(jīng)理

詢價 給他留言

產(chǎn)品簡介

硅酸鉍（Bi12SiO20）用途：ＢＧＯ有多種同素異構(gòu)體

詳細介紹

硅酸鉍（ Bi12SiO20）

用途：ＢＧＯ有多種同素異構(gòu)體。其中Bi4Ge3O12為立方晶系，點群43m。熔點1050℃。在可見光、X射線、α和γ射線的激發(fā)下可產(chǎn)生熒光。激發(fā)光譜305nm，熒光光譜480～510nm，光輸出溫度系數(shù)-1％/℃，臨界能量10.5MeV。具有良好的閃爍性能，不吸潮、抗沖擊，易于加工，化學(xué)性能穩(wěn)定，不存在因摻雜不均引起的發(fā)光強度不均勻問題。有效原子系數(shù)高，熒光衰減時間短，有利于快速計算。用提拉法或下降法在大氣氣氛下生長。為高能射線的閃爍探測材料，用于正負電子對撞機。

參數(shù)：