EMPro是針對研發(fā)和質(zhì)量控制領(lǐng)域推出的型多入射角激光橢偏儀。
EMPro可在單入射角度或多入射角度下進行高精度、高準確性測量?？捎糜跍y量單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數(shù)k；也可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k；亦可用于實時測量快速變化的納米薄膜動態(tài)生長中膜層的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。多入射角度設(shè)計實現(xiàn)了納米薄膜的厚度測量。
EMPro采用了量拓科技多項技術(shù)。
特點：
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原子層量級的靈敏度
的采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的制造工藝實現(xiàn)并保證了能夠測量原子層量級的極薄納米薄膜，膜厚精度達到0.01nm，折射率精度達到0.0001。
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百毫秒量級的快速測量
國際水準的儀器設(shè)計，在保證精度和準確度的同時，可在幾百毫秒內(nèi)快速完成一次測量，可滿足單原子膜層生長的實時測量。
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簡單方便的儀器操作
用戶只需一個按鈕即可完成復(fù)雜的材料測量和分析過程，數(shù)據(jù)一鍵導(dǎo)出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進行高級測量設(shè)置。
應(yīng)用：
- EMPro適合于高精度要求的科研和工業(yè)產(chǎn)品環(huán)境中的新品研發(fā)或質(zhì)量控制。
- EMPro可用于測量單層或多層納米薄膜層構(gòu)樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數(shù)k；可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k；可用于實時測量快速變化的納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。
- EMPro可應(yīng)用的納米薄膜領(lǐng)域包括：微電子、半導(dǎo)體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽電池、光學(xué)薄膜、生命科學(xué)、化學(xué)、電化學(xué)、磁介質(zhì)存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。可應(yīng)用的塊狀材料領(lǐng)域包括：固體（金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)等），或液體（純凈物或混合物）。
技術(shù)指標：
| 項目 | 技術(shù)指標 |
| 儀器型號 | EMPro31 |
| 激光波長 | 632.8nm (He-Ne Laser) |
| 膜厚測量重復(fù)性（1） | 0.01nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
| 折射率測量重復(fù)性(1) | 1x10-4 (對于Si基底上100nm的SiO2膜層) |
| 單次測量時間 | 與測量設(shè)置相關(guān)，典型0.6s |
| 結(jié)構(gòu) | PSCA（Δ在0°或180°附近時也具有的準確度） |
| 激光光束直徑 | 1mm |
| 入射角度 | 40°-90°可手動調(diào)節(jié)，步進5° |
| 樣品方位調(diào)整 | Z軸高度調(diào)節(jié)：±6.5mm 二維俯仰調(diào)節(jié)：±4° 樣品對準：光學(xué)自準直和顯微對準系統(tǒng) |
| 樣品臺尺寸 | 平面樣品直徑可達Φ170mm |
| 較大的膜層范圍 | 透明薄膜可達4000nm 吸收薄膜則與材料性質(zhì)相關(guān) |
| 較大外形尺寸 | 887 x 332 x 552mm (入射角為90º時) |
| 儀器重量（凈重） | 25Kg |
| 選配件 | 水平XY軸調(diào)節(jié)平移臺 真空吸附泵 |
| 軟件 | ETEM軟件： l 中英文界面可選； l 多個預(yù)設(shè)項目供快捷操作使用； l 單角度測量/多角度測量操作和數(shù)據(jù)擬合； l 方便的數(shù)據(jù)顯示、編輯和輸出 l 豐富的模型和材料數(shù)據(jù)庫支持 |
注：(1)測量重復(fù)性：是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續(xù)測量25次所計算的標準差。
性能保證：
- 高穩(wěn)定性的He-Ne激光光源、*的采樣方法以及低噪聲探測技術(shù)，保證了高穩(wěn)定性和高準確度
- 高精度的光學(xué)自準直系統(tǒng)，保證了快速、高精度的樣品方位對準
- 穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)設(shè)計、可靠的樣品方位對準，結(jié)合*的采樣技術(shù)，保證了快速、穩(wěn)定測量
- 分立式的多入射角選擇，可應(yīng)用于復(fù)雜樣品的折射率和厚度的測量
- 一體化集成式的儀器結(jié)構(gòu)設(shè)計，使得系統(tǒng)操作簡單、整體穩(wěn)定性提高，并節(jié)省空間
- 一鍵式軟件設(shè)計以及豐富的物理模型庫和材料數(shù)據(jù)庫，方便用戶使用
準確度測試：
在入射角40°~85°范圍內(nèi)對Si基底上SiO2薄膜樣品橢偏角Psi和Delta測量值和理論擬合值如下圖所示：
可選配件：
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NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標片
- NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標片
- VP01真空吸附泵
- VP02真空吸附泵
- 樣品池
