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深圳市科時達電子科技有限公司
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| 參 考 價 | 面議 |
產(chǎn)品型號NOC-4000
品 牌
廠商性質(zhì)其他
所 在 地
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更新時間：2023-06-16 12:26:36瀏覽次數(shù)：203次
聯(lián)系我時，請告知來自 環(huán)保在線美國Nano-master離子束刻蝕濺射鍍膜一體機NOC-4000光學(xué)樣片放置于一個腔體種進行原子級清洗和拋光處理，之后自動傳送到第二個腔體中進行光學(xué)鍍膜，這個過程無需間斷真空
美國 Nano-master 離子束刻蝕濺射鍍膜一體機 NOC-4000
光學(xué)樣片放置于一個腔體種進行原子級清洗和拋光處理，之后自動傳送到第二個腔體中進行光學(xué)鍍膜，這個過程無需間斷真空。系統(tǒng)也可以獨立使用其中的一個腔體，每一個都可以實現(xiàn)各自的自動上/下載片功能。
緊湊型設(shè)計，占地面積僅為 46"x44"，不銹鋼立柜。
工藝過程通過觸摸屏 PC 和 LabView 軟件，可實現(xiàn)全自動的 PC控制，具有高度的可重復(fù)性，且具有友好的用戶界面。
系統(tǒng)具有完整的安全聯(lián)鎖，提供四級密碼訪問保護，含：
。 操作者權(quán)限：運行程序
。工藝師權(quán)限：添加/編輯和刪除程序
。 工程師權(quán)限：可獨立控制子系統(tǒng)，并開發(fā)程序
。服務(wù)權(quán)限：NM 工程師故障診斷和排除
真空系統(tǒng)包含渦輪分子泵和機械泵，極限真空可達到 5 x10-7Torr。渦輪分子泵與腔體之間的直連設(shè)計，系統(tǒng)可獲得的真空傳導(dǎo)率，基本可以達到 15 分鐘可達到工藝真空，8 小時達到腔體極限真空。腔體壓力調(diào)節(jié)通過 PC 自動控制渦輪速度而全自動調(diào)節(jié)，快速穩(wěn)定。
在個腔體中通過離子束可達到原子級的清洗，離子源安裝在腔體頂部，離子源配套 2KV，300mA 的電源。樣品臺配套 4"或 6"基片夾具、水冷，并可對著離子束流實現(xiàn)+900C 到-900C 旋轉(zhuǎn)。系統(tǒng)配套氣動遮板，使得工藝運行前穩(wěn)定離子束流。
根據(jù)應(yīng)用需要可以升級離子源，以支持更大尺寸晶圓片的處理。
第二個腔體可以根據(jù)應(yīng)用需要配套 ALD、PECVD、磁控、電子束蒸鍍、熱蒸鍍等鍍膜。
膜厚監(jiān)控儀校準后可實現(xiàn)原位膜厚測量，可以工藝時間或工藝膜厚為工藝終點條件，系統(tǒng)支持設(shè)定目標膜厚，當達到設(shè)定的目標膜 厚時全自動結(jié)束工藝。水冷保護晶振夾具，膜厚和沉積速率以及晶振壽命可顯示，可存儲高達 100 個膜厚數(shù)據(jù)。
系統(tǒng)的兩個腔體均配套單片的 Auto L/UL，可實現(xiàn)自動進樣、對準、出樣，在不間斷工藝真空情況下連續(xù)處理樣片。Load Lock腔體帶獨立真空系統(tǒng)和真空計，通過 PC 全自動監(jiān)控。兩個腔體之間可以互相傳送樣片。整個過程計算機全自動控制。
系統(tǒng)可選
。 向下/向上濺射
。 共濺射
。 DC, RF 以及脈沖電源
。 離子束輔助沉積
。 電子束源
。 熱蒸鍍
。 等離子源
。 ALD 沉積或 PECVD 沉積
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