陜西天士立科技有限公司/ST-FBSOA/IGBT/MOS正向偏置安全工作區(qū)測試系統(tǒng)，可以測試Si,SiC,GaN,材料的器件級和模塊級的IGBT,MOSFET的FBSOA（正向偏置安全工作區(qū)）。安全工作區(qū)設備包括“正向偏置安全工作區(qū)FBSOA"“反向偏置安全工作區(qū)RBSOA"“短路安全工作區(qū)SCSOA"

詳細介紹

IGBT/MOS正向偏置安全工作區(qū)測試系統(tǒng)ST-FBSOA_X

陜西天士立科技有限公司

專注半導體檢測·電學檢測·可靠性檢測·老化實驗

基礎信息

Si,SiC,GaN,材料的器件級和模塊級的IGBT,MOSFET的FBSOA（正向偏置安全工作區(qū)）測試
IGBT/MOS正向偏置安全工作區(qū)測試系統(tǒng)測試FBSOA和對應的IV曲線
ICE電流0~1000A
VCE電壓0~100V
VGE驅動電壓0~30V
VMNF熱敏電壓≤5V
Pmax功率100KW
脈寬10us~10ms
柜式結構，氣動安全（支持手動式）工裝柜，計算機程控

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IGBT/MOS正向偏置安全工作區(qū)測試系統(tǒng)ST-FBSOA_X

FBSOA定義

該圖是簡版FBSOA曲線，劃定了四條電壓-電流關系的邊界線，分別是AB段，BC段，CD段，DE段。IGBT/MOS正向偏置安全工作區(qū)測試系統(tǒng)。
AB段規(guī)定了處于飽和導通狀態(tài)下IGBT的zd工作電流，這個電流與IGBT的門極驅動電壓幅值相關，從圖看出，IGBT門極驅動電壓幅值越高，飽和導通狀態(tài)下的zd工作電流越大
BC段是IGBTmax可重復電流ICpuls，是4倍標稱電流
CD段需結合IGBT瞬態(tài)熱阻看。IGBT有線性區(qū)和飽和區(qū)
跨AB段后，其IGBT處于線性區(qū)了，也就退出飽和導通區(qū)， IGBT損耗急劇上升。所以，這條邊界體現(xiàn)IGBT能承受zd耗散功率Ptot。且CE電壓越高，IGBT所能承電流脈沖幅值越低。另外，電流脈寬越大，IGBT所能承受電流幅值也越低
藍色CD段各種脈沖寬度下的SOA，均是單脈沖安全工作區(qū)，非連續(xù)工作情況下的工作區(qū)，所以，必須參考上一頁的右下角的IGBT瞬態(tài)熱阻曲線，由公式（1）計算出在規(guī)定VCE條件下允許的電流IC的幅值和脈寬
DE段規(guī)定了IGBT集射極CE擊穿電壓，IGBTCE擊穿電壓是和結溫正相關，結溫越低，CE擊穿電壓也越低。IGBT/MOS正向偏置安全工作區(qū)測試系統(tǒng)。

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產(chǎn)品特點

測試規(guī)范：IEC60747-9、IEC60747-2、GB/T29332、GB/T4023
測試工裝有“手動式"“氣動式"“電子開關式"供選擇，不同封裝外觀，更換“DUT適配器"即可
高溫測試，支持室溫~200℃，±1℃@0.5℃
計算機程控，測試數(shù)據(jù)可存儲為Excel、PDF。內置多種通用文檔模板供用戶選擇，還可自定義
安全穩(wěn)定（PLC對設備的工作狀態(tài)進行全程實時監(jiān)控并與硬件進行互鎖）設備具有安全工作保護功能
智能化，計算機進行操控及數(shù)據(jù)編輯，測試結果自動保存及上傳特定局域網(wǎng)，支持MES系統(tǒng)和掃碼槍連接
安全性，防爆，防觸電，短路保護等多重保護措施，可以操作人員、設備、數(shù)據(jù)及樣品安全
電壓源電流源模塊化設計，根據(jù)需求，自選搭配。IGBT/MOS正向偏置安全工作區(qū)測試系統(tǒng)。

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