Hysitron PI 85L
布魯克的SEM PicoIndenter系列是深度感應(yīng)的納米力學(xué)測(cè)試系統(tǒng),專門設(shè)計(jì)用于與掃描電子顯微鏡(SEM、FIB/SEM)的高級(jí)成像能力聯(lián)用。有了這些系統(tǒng),可以進(jìn)行定量納米力學(xué)測(cè)試,同時(shí)使用SEM進(jìn)行成像。Hysitron PI 85L SEM PicoIndenter 是一款專用的原位納米力學(xué)測(cè)試儀器,專為 SEM 使用而設(shè)計(jì),但也適用于各種平臺(tái)和環(huán)境。該儀器采用布魯克電容式傳感器與極快的 78 kHz 控制系統(tǒng)配合使用,在納米尺度下提供的性能和穩(wěn)定性。緊湊的小尺寸設(shè)計(jì)使該系統(tǒng)非常適合腔體、拉曼和光學(xué)顯微鏡、同步輻射光束線等。
一、亮點(diǎn)
1)------性能、穩(wěn)定性和控制
提供超低噪音水平、極快的反饋控制和專有的 Q 控制軟件,用于主動(dòng)抑制振動(dòng)。
2)多功能------原位力學(xué)測(cè)試平臺(tái)
支持各種幾何尺寸樣品的的力學(xué)測(cè)試模式、多種控制模式和可更換壓頭。
3)緊湊------緊湊設(shè)計(jì)
為小腔室 SEM、拉曼和光學(xué)顯微鏡、光束線等提供易于安裝的理想系統(tǒng)。
二、特點(diǎn)
1)專為高性能和多功能性而設(shè)計(jì)
Hysitron PI 85L 的樣品臺(tái)設(shè)計(jì)能容納厚度達(dá) 10 mm 的樣品,同時(shí)提供三個(gè)方向 (XYZ) 3 mm 范圍的精確樣品定位。此外,樣品和傳感器的機(jī)械耦合為納米力學(xué)測(cè)試提供了一個(gè)穩(wěn)定、剛性的平臺(tái)??傊?,這種設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)的傾斜度和最小工作距離,在測(cè)試期間實(shí)現(xiàn)成像效果。
2)與 SEM 成像同步的原位力學(xué)數(shù)據(jù)
使用 Hysitron PI 85L 采集的原位力學(xué)數(shù)據(jù)與 SEM 成像同步,且并排顯示。同時(shí)進(jìn)行機(jī)械測(cè)量和SEM成像可全面了解材料變形行為。
3)精確使用各種模式探索材料變形行為
Hysitron PI 85L 可采用多種不同模式,在各種不同樣品中測(cè)試基本力學(xué)性能、應(yīng)力應(yīng)變行為、剛度、斷裂韌性和變形機(jī)制。
除了標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試模式外,PI 85L 還可以升級(jí),并可使用可選模式進(jìn)一步擴(kuò)展其功能。從加熱選項(xiàng)到電特性,PI 85L 可根據(jù)您的需求進(jìn)行調(diào)整。
三、附件
提供泛的創(chuàng)新表征技術(shù)------選項(xiàng)和附件
1) SEM 和 TEM 加熱臺(tái)------直接測(cè)量和觀察熱導(dǎo)致的材料轉(zhuǎn)化;
2) 納米動(dòng)力學(xué)模式------施加振蕩力,持續(xù)測(cè)量粘彈性和疲勞特性,作為接觸深度、頻率和時(shí)間的函數(shù)
3)電學(xué)特性模塊(ECM)------在納米壓痕、壓縮或拉伸加載期間同時(shí)進(jìn)行原位電特性測(cè)量
4)壓轉(zhuǎn)拉模塊(PTP)------專為納米線和獨(dú)立薄膜而設(shè)計(jì)
四、相關(guān)圖片
1)經(jīng)過(guò)如圖所示的力學(xué)測(cè)試后,在Cu互聯(lián)層和脆電介質(zhì)層之間觀察到面間分層
2)高熵合金三個(gè)不同結(jié)構(gòu)微區(qū)的納米壓痕成像和對(duì)應(yīng)的載荷-位移曲線(僅顯示低載荷部分)
3)在室溫(左上)和 800℃(右上)環(huán)境中粘結(jié)涂層柱子壓縮后的形貌。在室溫下測(cè)試的柱子中可以清楚地看到穿晶破裂,而在高溫下才出現(xiàn)晶間破裂。應(yīng)力應(yīng)變曲線(下圖)表明在室溫下有較大的應(yīng)變硬化,而在較高的溫度下更為有限
4)金屬薄膜 1 Hz 動(dòng)態(tài)載荷測(cè)試中應(yīng)用的載荷振幅(紅色)和總位移(藍(lán)色)的圖示
5)壓縮VLS法生長(zhǎng)的n型摻雜的硅納米柱時(shí)的電學(xué)表征。 D.D. Stauffer 博士論文,“納米級(jí)脆性材料的變形機(jī)理”,明尼蘇達(dá)大學(xué)(2011),第 150-152 頁(yè)
6)加載/卸載與位移的曲線(左),以及 PTP 裝置偏轉(zhuǎn)下位移和加載與時(shí)間的曲線(右)。其中線性彈性行進(jìn)距離大于 4 μm