Aspen III 基于具有接地法拉第屏蔽的專有 ICP 源設(shè)計(jì),為半導(dǎo)體制造商提供經(jīng)過(guò)生產(chǎn)驗(yàn)證且具有成本效益的剝離和蝕刻解決方案。Aspen III 的平臺(tái)設(shè)計(jì)可處理 200 毫米和 300 毫米晶圓,并支持特殊晶圓處理,包括翹曲和半透明晶圓。的工藝室架構(gòu)可以滿足業(yè)內(nèi)的設(shè)備制造商跨多個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的技術(shù)要求。
產(chǎn)品特點(diǎn):
- 平臺(tái)
- 200 mm / 300 mm 橋接工具
- 玻璃/石英/半透明晶圓處理
- 翹曲 (> 5 mm) 晶圓處理
- 雙晶圓室設(shè)計(jì),獨(dú)立晶圓控制
- 單或雙工藝室選項(xiàng)
- 高速機(jī)器人
- 真空負(fù)載鎖
- 安裝了 500 多個(gè)系統(tǒng)
- ICP HT / Strip 處理室
- 專有法拉第屏蔽ICP源
- 還原和氟化學(xué)能力
- 耗材成本低
- LiteEtch 工藝室
- 高濃度氟工藝的各向同性蝕刻
- 耐氟室設(shè)計(jì)
- eHighlands 蝕刻和剝離工藝室
- 偏置能力
- 低溫(10°C 至 80°C)能力
- 低壓(5 mT 至 300 mT)能力
過(guò)程:
- 塊狀光刻膠條
- 離子注入后光刻膠去除
- 表面處理
- 表面殘留物去除
- 聚酰亞胺返修/處理
- 光刻返工
- 表面鈍化
- SiN / SiC 勢(shì)壘刻蝕
- 抗蝕劑/BARC 回蝕
應(yīng)用:
- 存儲(chǔ)設(shè)備制造
- 邏輯器件制造
- LED制造
- CMOS傳感器制造
- 功率集成電路制造
- MEMS制造
- 傳感器制造
- 晶圓級(jí)封裝
- 光電制造
- 模擬/混合信號(hào)設(shè)備制造