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產(chǎn)品型號(hào)
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地深圳市
更新時(shí)間:2022-02-24 13:48:50瀏覽次數(shù):2156次
聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)告知來(lái)自 環(huán)保在線產(chǎn)地 | 國(guó)產(chǎn) | 供貨周期 | 30天 |
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用途 | 軌道交通,風(fēng)力發(fā)電,電動(dòng)汽車(chē) | 重量 | 30kg |
IGBT模塊測(cè)試系統(tǒng)可用于IGBT模塊封裝測(cè)試,電動(dòng)車(chē)IGBT模塊檢測(cè),電動(dòng)車(chē)電控部分IGBT測(cè)試;
還可以針對(duì)不同封裝提供IGBT模塊測(cè)試夾具;
序號(hào) | 測(cè)試項(xiàng)目 | 描述 | 測(cè)量范圍 | 分辨率 |
1 | VF | 二極管正向?qū)▔航?/span> | 0-40V | 1mV |
2 | IF | 二極管正向?qū)娏?/span> | 0-1600A | 200A時(shí),0.1A |
3 | >200A時(shí),1A | |||
4 | Vces | 集電極-發(fā)射極電壓 | 0-5000V | 1V |
5 | Ic | 通態(tài)集電極電流 | 0-1600A | 200A時(shí),0.1A |
6 | >200A時(shí),1A | |||
7 | Ices | 集電極-發(fā)射極漏電流 | 0-50mA | 1nA |
8 | Vgeth | 柵極-發(fā)射極閾值電壓 | 0-40V | 1mV |
9 | Vcesat | 集電極-發(fā)射極飽和電壓 | 0-40V | 1mV |
10 | Igesf | 正向柵極漏電流 | 0-10uA | 1nA |
11 | Igesr | 反向柵極漏電流 | ||
12 | Vges | 柵極發(fā)射極電壓 | 0-40V | 1mV |
華科智源地鐵高鐵軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀測(cè)試的IGBT參數(shù)包括:ICES(漏流)、BVCES(耐壓)、IGESF(正向門(mén)極漏流)、IGESR(反向門(mén)極漏流)、VGETH(門(mén)檻電壓/閾值)、VGEON(通態(tài)門(mén)極電壓)、VCESAT(飽和壓降)、ICON(通態(tài)集極漏流)、VF二極管壓降、等全直流參數(shù), 所有小電流指標(biāo)保證1重復(fù)測(cè)試精度, 大電流指標(biāo)保證2以?xún)?nèi)重復(fù)測(cè)試精度。
華科智源地鐵高鐵軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀,可以仿真元件在真正工作狀態(tài)下的電流及電壓,并測(cè)量重要參數(shù)的數(shù)據(jù),再與原出廠指標(biāo)比較,由此來(lái)判定元件的好壞或退化的百分比。每個(gè)電流模塊,都具有獨(dú)立的供電系統(tǒng),以便在測(cè)試時(shí),提供內(nèi)部電路及電池組充電之用; 可選購(gòu)?fù)獠扛邏耗K,執(zhí)行關(guān)閉狀態(tài)參數(shù)測(cè)試如:各項(xiàng)崩潰電壓與漏電流測(cè)量達(dá)5KV。
IGBT模塊測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域 應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)所應(yīng)用到的元器件,尤其對(duì)現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試、篩選、分析,以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性;
電子信息等領(lǐng)域應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)所應(yīng)用到的元器件,尤其對(duì)現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試、篩選、分析,以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性;
機(jī)車(chē)、汽車(chē)、船舶控制系統(tǒng)生產(chǎn)廠應(yīng)用華科智源地鐵高鐵軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀可對(duì)所應(yīng)用到的元器件,尤其對(duì)現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試測(cè)試、篩選、分析,以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性;
水力、電力控制系統(tǒng)生產(chǎn)廠應(yīng)用華科智源地鐵高鐵軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀可對(duì)所應(yīng)用到的元器件,尤其對(duì)現(xiàn)代型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試測(cè)試、篩選、分析,以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性。
優(yōu)勢(shì)行業(yè):電力設(shè)備、地鐵、鐵路動(dòng)力車(chē)組和運(yùn)用大功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行設(shè)計(jì)、制造的行業(yè)。
華科智源HUSTEC-1200A-MT電參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的V-I 特性測(cè)試 , 廣泛應(yīng)用于軌道交通,電動(dòng)汽車(chē) ,風(fēng)力發(fā)電 ,變頻器, 焊機(jī)行業(yè)的 IGBT來(lái)料選型和失效分析。測(cè)試過(guò)程簡(jiǎn)單,既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試,又可以通過(guò)軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。能夠通過(guò)電腦操作成IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試;
整個(gè)測(cè)試過(guò)程自動(dòng)完成,電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)管理查詢(xún)功能,可生成測(cè)試曲線,方便操作使用。
測(cè)試實(shí)例
Vce-Ic特征曲線
Vgth-Vce特征曲線
IGBT模塊測(cè)試測(cè)試界面
華科智源HUSTEC-1200A-MT電參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的V-I 特性測(cè)試
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