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真空式等離子處理系統(tǒng)CRF-VPO-4L-S

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  • 型號 CRF-VPO-4L-S
  • 品牌
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
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更新時間:2022-08-15 15:09:15瀏覽次數(shù):180

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產(chǎn)品簡介

產(chǎn)品特點超大處理空間,提升處理產(chǎn)能,采用PLC+觸摸屏控制系統(tǒng),精準的控制設(shè)備運行;可按照客戶要求定制設(shè)備腔體容量和層數(shù),滿足客戶的需求;保養(yǎng)維修成本低,便于客戶成本控制;高精度,快響應(yīng),良好的操控性和兼容性,完善的功能和專業(yè)的技術(shù)支持

詳細介紹

產(chǎn)品特點
超大處理空間,提升處理產(chǎn)能,采用PLC+觸摸屏控制系統(tǒng),精準的控制設(shè)備運行;
可按照客戶要求定制設(shè)備腔體容量和層數(shù),滿足客戶的需求;保養(yǎng)維修成本低,便于客戶成本控制;
高精度,快響應(yīng),良好的操控性和兼容性,完善的功能和專業(yè)的技術(shù)支持。
 
應(yīng)用范圍
真空等離子清洗機適用于印制線路板行業(yè),半導(dǎo)體IC領(lǐng)域、硅膠、塑膠、聚合體領(lǐng)域,汽車電子行業(yè),航空工業(yè)等。印制線路板行業(yè):高頻板表面活化,多層板表面清潔、去鉆污,軟板、軟硬結(jié)合板表面清潔、去鉆污,軟板補強前活化。半導(dǎo)體IC領(lǐng)域:COB、COG、COF、ACF工藝,用于打線、焊接前的清洗;硅膠、塑膠、聚合體領(lǐng)域硅膠、塑膠、聚合體的等離子表面粗化、刻蝕、活化。
 
真空式等離子清洗機系統(tǒng)廠家是運用氣體電離形成的等離子體對產(chǎn)品工件進行表面處理,不論是清洗還是表面活化,為了更好地取得優(yōu)質(zhì)的處理效果,針對不同的產(chǎn)品需要挑選不一樣的加工工藝氣體,等離子清洗機常見的加工工藝氣體有氧氣(Oxygen,O2),氬氣(Argon,Ar),氮氣(Nitrogen,N2),空氣壓縮(Compressed Air,CDA),二氧化碳(Carbon,CO2),氫氣(Hydrogen,H2),四氟化碳(Carbontetrafluoride,CF4)等。

氧氣:
氧是一種常見的等離子清洗活性氣體,這是屬于物理學+化學處理方法,被電離后離子化造成的離子能夠?qū)Ρ砻孢M行物理學轟擊,產(chǎn)生不光滑粗糙的表面。此外,高活性氧離子能與被斷鍵的分子結(jié)構(gòu)鏈產(chǎn)生化學反應(yīng),轉(zhuǎn)化成具備活性基的親水性表層,以完成表層活性的目的;而被斷鍵的有機污染物則能與活性氧離子產(chǎn)生化學反應(yīng),產(chǎn)生CO、CO2、H2O等分子脫離表層,完成表層清洗。氧關(guān)鍵用以高分子聚合物的表層活性和污染物的除去,但不可以用以于易氧化的金屬表層。在真空等離子下,氧等離子呈淺藍色,一部分充放電時呈乳白色;放電環(huán)境中光線較亮,用肉眼觀看時很有可能出現(xiàn)看不見真內(nèi)腔內(nèi)放電的狀況。
 
氫氣:
氫與氧類似,是高活性氣體,能活化和清洗表層。氫和氧的差別關(guān)鍵取決于反應(yīng)后產(chǎn)生的官能團不一樣,另外氫還具備還原性,可用于金屬表層的微觀氧化層除去,并且不易毀壞表層比較敏感的有機層。因而在微電子技術(shù),半導(dǎo)體材料和pcb線路板加工制造業(yè)中運用較為普遍。因為氫是危險氣體,在沒有電離的狀況下易與氧氣融合會產(chǎn)生爆炸,因而在等離子清洗機中不允許這二種氣體混合使用。在真空等離子狀態(tài)中,氫等離子體為鮮紅色,與氬等離子體類似,要同樣放電環(huán)境下比氬等離子體顏色稍深。
 
氮氣:
由氮氣電離而成的等離子體與一些分子產(chǎn)生鍵合反應(yīng),因而也是一種有活性氣體,可是相對于氧和氫而言,它的顆粒較重,在一般的等離子清洗機的運用中,這類氣體一般被界定在活性氣體氧、氫氣和稀有氣體氬氣之間的一種氣體。清洗活化時要做到一定的轟擊、蝕刻的效果,同時能避免一部分金屬表層產(chǎn)生空氣氧化。由氮氣和其他氣體混和而成的等離子體,一般用來處理一些特殊的材料。在真空腔體內(nèi),相同放電的情況下氮等離子會比氬、氫等離子亮度更亮一些。
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名稱(Name)

真空式等離子處理系統(tǒng)

型號(Model)

CRF-VPO-4L-S

控制系統(tǒng)(Control system)

PLC+觸摸屏

電源(Power supply)

380V/AC,50/60Hz, 3kw

中頻電源功率(RF Power)

1000W/40KHz/13.56MHz

容量(Volume )

30L(Option)

層數(shù)(Electrode of plies )

4(Option)

有效處理面積(Area)

200(L)*150(W)(Option)

氣體通道(Gas)

兩路工作氣體可選:Ar、N2、CF4、O2

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