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CK500高真空多靶磁控濺射鍍膜機(jī)

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更新時(shí)間：2022-10-22 16:43:14瀏覽次數(shù)：400次

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

CK500高真空多靶磁控濺射鍍膜機(jī)主要由鍍膜腔室（500H430mm），永磁圓形平面靶，真空系統(tǒng)，旋轉(zhuǎn)加熱基片臺(tái)，氣路系統(tǒng)，電氣控制及報(bào)警保護(hù)系統(tǒng)等組成。

詳細(xì)介紹

CK500高真空多靶磁控濺射鍍膜機(jī)主要由鍍膜腔室（φ500×H430mm），永磁圓形平面靶，真空系統(tǒng)，旋轉(zhuǎn)加熱基片臺(tái)，氣路系統(tǒng)，電氣控制及報(bào)警保護(hù)系統(tǒng)等組成。

設(shè)備特點(diǎn)及主要用途

CK500高真空多靶磁控濺射鍍膜機(jī)主要由真空專用不銹鋼腔室、四只3英寸圓形平面磁控靶；直流、射頻濺射電源各一臺(tái)。機(jī)械泵+分子泵高真空系統(tǒng)、旋轉(zhuǎn)、加熱基片臺(tái)（室溫至300±1℃可調(diào)可控）、機(jī)架、氣路、水路、邏輯按鈕控制及安全保護(hù)等組成。該設(shè)備選配電源可具備四靶共濺射功能，實(shí)現(xiàn)一機(jī)多用，可開發(fā)納米級(jí)單層或多層的導(dǎo)電膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、絕緣膜等。整機(jī)結(jié)構(gòu)緊湊、占地小、操作方便、抽真空速度快。

技術(shù)參數(shù)

真空腔室	φ500×H430mm
真空系統(tǒng)	復(fù)合分子泵+直聯(lián)旋片泵,氣動(dòng)真空閥門
真空極限	優(yōu)于8.0×10-5Pa
抽速	從大氣抽至6.0×10-3Pa≤15min
基片臺(tái)	基片臺(tái)尺寸：φ150mm
基片加熱與旋轉(zhuǎn)	襯底加熱：室溫～300℃，自動(dòng)測(cè)溫，PID控溫；基片旋轉(zhuǎn)：0-50轉(zhuǎn)/分鐘，可調(diào)可控
濺射靶規(guī)格	3英寸，四只
膜厚不均勻性	≤±5%
控制方式	手動(dòng)按鈕控制；（自動(dòng)控制可選）
報(bào)警及保護(hù)	缺水報(bào)警，強(qiáng)制水冷，過流過壓等異常情況自動(dòng)執(zhí)行保護(hù)功能
占地面積	長(zhǎng)×寬: 1700×1600mm